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Journal Of Semiconductor Technology And Science

Journal Of Semiconductor Technology And Science SCIE

半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q4 預(yù)計(jì)審稿周期: 較慢,6-12周

《Journal Of Semiconductor Technology And Science》是一本由Institute of Electronics Engineers of Korea出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為J SEMICOND TECH SCI,中文名稱半導(dǎo)體技術(shù)與科學(xué)雜志。該刊創(chuàng)刊于2001年,出版周期為6 issues/year。 《Journal Of Semiconductor Technology And Science》2023年影響因子為0.5,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:1598-1657
研究方向:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED
是否預(yù)警:否
E-ISSN:2233-4866
出版地區(qū):SOUTH KOREA
Gold OA文章占比:0.00%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0
出版商:Institute of Electronics Engineers of Korea
出版周期:6 issues/year
影響因子:0.5
創(chuàng)刊時(shí)間:2001
年發(fā)文量:37
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Journal Of Semiconductor Technology And Science 雜志簡介

《Journal Of Semiconductor Technology And Science》重點(diǎn)專注發(fā)布ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC-PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Journal Of Semiconductor Technology And Science 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價(jià)指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Journal Of Semiconductor Technology And Science 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(2023-2024年最新版)
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 329 / 352

6.7%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 175 / 179

2.5%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 342 / 354

3.53%

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 176 / 179

1.96%

Journal Of Semiconductor Technology And Science CiteScore 評價(jià)數(shù)據(jù)(2024年最新版)

  • CiteScore:0.9
  • SJR:0.181
  • SNIP:0.216

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q4 654 / 797

18%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 248 / 284

12%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Journal Of Semiconductor Technology And Science 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • A 4-Channel 8-Gb/s/ch VCSEL Driver Array4
  • A Watt-level Broadband Power Amplifier in GaAs HBT Process4
  • A 3-Gb/s Equalizer with an Adaptive Swing Controller for TFT-LCD Interfaces4
  • Gallium Nitride PIN Avalanche Photodiode with Double-step Mesa Structure3
  • Processing and Characterization of Ultra-thin Poly-crystalline Silicon for Memory and Logic Applications3
  • Investigation on Phase-change Synapse Devices for More Gradual Switching3
  • Properties of Resistive Switching in TiO2 Nanocluster-SiOx(x < 2) Matrix Structure3
  • Xenon Flash Lamp Annealing on a-IGZO Thin-film Transistors at Different Pulse Repetition Numbers3
  • Recessed AlGaN/GaN UV Phototransistor2
  • Investigation of Wafer Warpage Induced by Multi-layer Films2

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • South Korea220
  • CHINA MAINLAND14
  • USA8
  • India5
  • Japan3
  • Taiwan3
  • Vietnam3
  • England1
  • Indonesia1
  • Iran1

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • HANYANG UNIVERSITY24
  • HONGIK UNIVERSITY21
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)17
  • KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TECHNOLOGY (KAIST)15
  • CHUNGNAM NATIONAL UNIVERSITY14
  • KWANGWOON UNIVERSITY14
  • SAMSUNG14
  • EWHA WOMANS UNIVERSITY12
  • SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU)12
  • SOGANG UNIVERSITY10

Journal Of Semiconductor Technology And Science 雜志社通訊方式

《Journal Of Semiconductor Technology And Science》雜志通訊方式為:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:RM #907 SCIENCE & TECHNOLOGY NEW BLDG, 635-4 YUCKSAM-DONG, SEOUL, SOUTH KOREA, KANGNAM-KU, 135-703。

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