借种免费在线观看,黄黄小视频,www.色女人

雜志簡介中科院分區 JCR分區 CiteScore 發文統計通訊方式相關雜志期刊導航

Microelectronics Reliability 雜志簡介

《Microelectronics Reliability》重點專注發布工程技術-工程：電子與電氣領域的新研究，旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創刊至今，在工程技術-工程：電子與電氣領域，有較高影響力，對來稿文章質量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Microelectronics Reliability 雜志中科院分區

中科院SCI分區數據

中科院SCI期刊分區（2023年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區 4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2022年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區 4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區 4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月基礎版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區 4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2021年12月升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區 4區	否	否

中科院SCI期刊分區（2020年12月舊的升級版）

大類學科	分區	小類學科	分區	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	4區 4區 4區	否	否

中科院分區趨勢圖

影響因子趨勢圖

中科院JCR分區：中科院JCR期刊分區（又稱分區表、分區數據）是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標，一般而言，發表在1區和2區的SCI論文，通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數據，現已成為國際上通用的期刊評價指標，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標，而且也是測度期刊的學術水平，乃至論文質量的重要指標。

Microelectronics Reliability 雜志JCR分區

Web of Science 數據庫（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	239 / 352	32.2%
學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	113 / 140	19.6%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	131 / 179	27.1%

按JCI指標學科分區	收錄子集	分區	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	272 / 354	23.31%
學科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	114 / 140	18.93%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	140 / 179	22.07%

Microelectronics Reliability CiteScore 評價數據（2024年最新版）

CiteScore：3.3
SJR：0.394
SNIP：0.801

CiteScore 排名

學科類別	分區	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Safety, Risk, Reliability and Quality	Q2	83 / 207	60%
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	395 / 797	50%
大類：Engineering 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q3	118 / 224	47%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics	Q3	230 / 434	47%
大類：Engineering 小類：Surfaces, Coatings and Films	Q3	74 / 132	44%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	161 / 284	43%

CiteScore趨勢圖

年發文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發布的一個評價學術期刊質量的指標，該指標是指期刊發表的單篇文章平均被引用次數。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現期刊質量的重要指標，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Microelectronics Reliability 雜志發文統計

文章名稱引用次數

Comphy - A compact-physics framework for unified modeling of BTI25
An improved unscented particle filter approach for lithium-ion battery remaining useful life prediction25
Threshold voltage peculiarities and bias temperature instabilities of SiC MOSFETs21
Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence16
Controversial issues in negative bias temperature instability13
An Android mutation malware detection based on deep learning using visualization of importance from codes13
A review of NBTI mechanisms and models12
New dynamic electro-thermo-optical model of power LEDs12
Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs11
Border traps and bias-temperature instabilities in MOS devices10

Microelectronics Reliability 雜志社通訊方式

《Microelectronics Reliability》雜志通訊方式為：PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導服務，SCI檢索，確保稿件信息安全保密，合乎學術規范，詳情請咨詢客服。