Journal of Semiconductors雜志收錄論文類型主要包括: 研究快報、研究論文、研究簡報、技術進展、等。
雜志論文要求:
1、如作者不同意文章被收錄,請在來稿時向本刊聲明,本刊將做適當處理。來稿請用小四號字打印,同時提供打印稿和電子文本(word格式)。
2、論文應有中英作者署名、工作單位、所在省、市名稱和郵編。如有多位作者,其間以逗號分開,其工作單位不同,應按阿拉伯數字順序標注在右上角,單位與單位之間用分號。
3、文內一級標題序號用1,2,3……,小四號黑體;文內二級標題序號用1.1,1.2,1.3……,五號黑體;余類推。各層次的序號均須左頂格,后空一字距后再接排標題。
4、摘要的字數要求在200字左右,要中英文對應。內容包含研究的目的、方法、結果和結論。
5、正文中標題編排格式為:二級標題用“一”或“一、……”(居中、宋體四號);三級標題用“(一)”(首行縮進兩格、宋體五號加粗);四級標題用“1.……”(宋體五號)。
6、注釋統一采用尾注,并請以正文格式列于文章末尾,勿用word自動生成;序號采用“[]”方括號標注;外國作者國籍采用“〔〕”六角括號標注。
7、圖、表和公式應通篇分別編號,圖題、表題應有中英文對照。表格應采用三線表形式,內容以英文表述。參考文獻應有中英文對照,并在正文中按順序引用。
8、前言應交代本研究歷史背景、研究意義和研究目的,提出研究需要解決的問題,重點闡述本研究創新點。
9、文章結構:稿件應包括標題、摘要、引言、材料與方法、結果、討論、結論、參考文獻等部分。其中,摘要應簡明扼要地介紹研究背景、目的、方法、結果和結論;引言應明確研究背景與目的;材料與方法應準確描述實驗設計、樣本選擇、數據收集和統計分析方法;結果和討論分別闡述實驗結果和對結果的解釋和討論。
10、外文文獻在前,中文文獻在后。同一作者不同時期的文獻按出版時間的先后順序排列。外文書名以斜體書寫,實詞首字母大寫;外文論文篇名以正體書寫,僅篇名首字母大寫。每條頂格寫,回行時空兩格。
Journal of Semiconductors雜志 是由中國科學院主管, 中國科學院半導體研究所;中國電子學會主辦的 CSCD期刊, 影響因子為:0.36。 順應社會的發展,雜志獲得了多項榮譽:全國優秀科技期刊、中國科技期刊優秀期刊、等。