Journal of Semiconductors雜志社論文格式要求：
1、如作者不同意文章被收錄，請(qǐng)?jiān)趤砀鍟r(shí)向本刊聲明，本刊將做適當(dāng)處理。來稿請(qǐng)用小四號(hào)字打印，同時(shí)提供打印稿和電子文本（word格式）。
2、論文應(yīng)有中英作者署名、工作單位、所在省、市名稱和郵編。如有多位作者，其間以逗號(hào)分開，其工作單位不同，應(yīng)按阿拉伯?dāng)?shù)字順序標(biāo)注在右上角，單位與單位之間用分號(hào)。
3、文內(nèi)一級(jí)標(biāo)題序號(hào)用1，2，3……，小四號(hào)黑體；文內(nèi)二級(jí)標(biāo)題序號(hào)用1.1，1.2，1.3……，五號(hào)黑體；余類推。各層次的序號(hào)均須左頂格，后空一字距后再接排標(biāo)題。
4、摘要的字?jǐn)?shù)要求在200字左右，要中英文對(duì)應(yīng)。內(nèi)容包含研究的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。
5、正文中標(biāo)題編排格式為：二級(jí)標(biāo)題用“一”或“一、……”（居中、宋體四號(hào)）；三級(jí)標(biāo)題用“（一）”（首行縮進(jìn)兩格、宋體五號(hào)加粗）；四級(jí)標(biāo)題用“1.……”（宋體五號(hào)）。
6、注釋統(tǒng)一采用尾注，并請(qǐng)以正文格式列于文章末尾，勿用word自動(dòng)生成；序號(hào)采用“[]”方括號(hào)標(biāo)注；外國作者國籍采用“〔〕”六角括號(hào)標(biāo)注。
7、圖、表和公式應(yīng)通篇分別編號(hào)，圖題、表題應(yīng)有中英文對(duì)照。表格應(yīng)采用三線表形式，內(nèi)容以英文表述。參考文獻(xiàn)應(yīng)有中英文對(duì)照，并在正文中按順序引用。
8、前言應(yīng)交代本研究歷史背景、研究意義和研究目的，提出研究需要解決的問題，重點(diǎn)闡述本研究創(chuàng)新點(diǎn)。
9、文章結(jié)構(gòu)：稿件應(yīng)包括標(biāo)題、摘要、引言、材料與方法、結(jié)果、討論、結(jié)論、參考文獻(xiàn)等部分。其中，摘要應(yīng)簡(jiǎn)明扼要地介紹研究背景、目的、方法、結(jié)果和結(jié)論；引言應(yīng)明確研究背景與目的；材料與方法應(yīng)準(zhǔn)確描述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、樣本選擇、數(shù)據(jù)收集和統(tǒng)計(jì)分析方法；結(jié)果和討論分別闡述實(shí)驗(yàn)結(jié)果和對(duì)結(jié)果的解釋和討論。
10、外文文獻(xiàn)在前，中文文獻(xiàn)在后。同一作者不同時(shí)期的文獻(xiàn)按出版時(shí)間的先后順序排列。外文書名以斜體書寫，實(shí)詞首字母大寫；外文論文篇名以正體書寫，僅篇名首字母大寫。每條頂格寫，回行時(shí)空兩格。
Journal of Semiconductors雜志簡(jiǎn)介
雜志自1980年創(chuàng)刊， 現(xiàn)任主編李樹深， 由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國電子學(xué)會(huì)主辦的 電力類期刊，刊物質(zhì)量不斷提高，個(gè)性特色逐漸明顯，覆蓋面不斷擴(kuò)大，影響力不斷增強(qiáng)，受到領(lǐng)導(dǎo)、讀者和學(xué)者的肯定和鼓勵(lì)。
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