Journal of Semiconductors雜志社論文格式要求:
1、如作者不同意文章被收錄,請(qǐng)?jiān)趤砀鍟r(shí)向本刊聲明,本刊將做適當(dāng)處理。來稿請(qǐng)用小四號(hào)字打印,同時(shí)提供打印稿和電子文本(word格式)。
2、論文應(yīng)有中英作者署名、工作單位、所在省、市名稱和郵編。如有多位作者,其間以逗號(hào)分開,其工作單位不同,應(yīng)按阿拉伯?dāng)?shù)字順序標(biāo)注在右上角,單位與單位之間用分號(hào)。
3、文內(nèi)一級(jí)標(biāo)題序號(hào)用1,2,3……,小四號(hào)黑體;文內(nèi)二級(jí)標(biāo)題序號(hào)用1.1,1.2,1.3……,五號(hào)黑體;余類推。各層次的序號(hào)均須左頂格,后空一字距后再接排標(biāo)題。
4、摘要的字?jǐn)?shù)要求在200字左右,要中英文對(duì)應(yīng)。內(nèi)容包含研究的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。
5、正文中標(biāo)題編排格式為:二級(jí)標(biāo)題用“一”或“一、……”(居中、宋體四號(hào));三級(jí)標(biāo)題用“(一)”(首行縮進(jìn)兩格、宋體五號(hào)加粗);四級(jí)標(biāo)題用“1.……”(宋體五號(hào))。
6、注釋統(tǒng)一采用尾注,并請(qǐng)以正文格式列于文章末尾,勿用word自動(dòng)生成;序號(hào)采用“[]”方括號(hào)標(biāo)注;外國作者國籍采用“〔〕”六角括號(hào)標(biāo)注。
7、圖、表和公式應(yīng)通篇分別編號(hào),圖題、表題應(yīng)有中英文對(duì)照。表格應(yīng)采用三線表形式,內(nèi)容以英文表述。參考文獻(xiàn)應(yīng)有中英文對(duì)照,并在正文中按順序引用。
8、前言應(yīng)交代本研究歷史背景、研究意義和研究目的,提出研究需要解決的問題,重點(diǎn)闡述本研究創(chuàng)新點(diǎn)。
9、文章結(jié)構(gòu):稿件應(yīng)包括標(biāo)題、摘要、引言、材料與方法、結(jié)果、討論、結(jié)論、參考文獻(xiàn)等部分。其中,摘要應(yīng)簡(jiǎn)明扼要地介紹研究背景、目的、方法、結(jié)果和結(jié)論;引言應(yīng)明確研究背景與目的;材料與方法應(yīng)準(zhǔn)確描述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、樣本選擇、數(shù)據(jù)收集和統(tǒng)計(jì)分析方法;結(jié)果和討論分別闡述實(shí)驗(yàn)結(jié)果和對(duì)結(jié)果的解釋和討論。
10、外文文獻(xiàn)在前,中文文獻(xiàn)在后。同一作者不同時(shí)期的文獻(xiàn)按出版時(shí)間的先后順序排列。外文書名以斜體書寫,實(shí)詞首字母大寫;外文論文篇名以正體書寫,僅篇名首字母大寫。每條頂格寫,回行時(shí)空兩格。
Journal of Semiconductors雜志簡(jiǎn)介
雜志自1980年創(chuàng)刊, 現(xiàn)任主編李樹深, 由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;中國電子學(xué)會(huì)主辦的 電力類期刊,刊物質(zhì)量不斷提高,個(gè)性特色逐漸明顯,覆蓋面不斷擴(kuò)大,影響力不斷增強(qiáng),受到領(lǐng)導(dǎo)、讀者和學(xué)者的肯定和鼓勵(lì)。
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