Journal of Semiconductors雜志簡(jiǎn)介
《The Journal of Semiconductors》自1980年創(chuàng)刊,國(guó)內(nèi)刊號(hào)為11-5781/TN,本刊積極探索、勇于創(chuàng)新,欄目設(shè)置及內(nèi)容節(jié)奏經(jīng)過(guò)編排與改進(jìn),受到越來(lái)越多的讀者喜愛(ài)。它是一本專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)術(shù)期刊。該期刊致力于發(fā)表半導(dǎo)體物理、器件和材料的研究成果,促進(jìn)半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展。
該期刊涵蓋了廣泛的半導(dǎo)體領(lǐng)域,包括半導(dǎo)體物理學(xué)、器件物理學(xué)、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體器件、光電子學(xué)和量子計(jì)算等。它關(guān)注半導(dǎo)體原理、器件制備、性能測(cè)試、器件集成和應(yīng)用等方面的研究。發(fā)表的文章包括原創(chuàng)研究論文、綜述、評(píng)論和技術(shù)報(bào)告。這些文章由國(guó)內(nèi)外的半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家學(xué)者和研究人員編寫(xiě),經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的學(xué)術(shù)評(píng)審和編輯,具有較高的學(xué)術(shù)水平和可信度。
它關(guān)注半導(dǎo)體理論與實(shí)際應(yīng)用之間的聯(lián)系,推動(dòng)學(xué)術(shù)研究向?qū)嶋H應(yīng)用的轉(zhuǎn)化。通過(guò)發(fā)表基礎(chǔ)科學(xué)研究和工程技術(shù)成果,該期刊為讀者提供了深入了解半導(dǎo)體技術(shù)和應(yīng)用的機(jī)會(huì)。還關(guān)注半導(dǎo)體行業(yè)的新興技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)。它報(bào)道相關(guān)領(lǐng)域的最新進(jìn)展,如新型半導(dǎo)體材料、器件制備工藝、集成電路設(shè)計(jì)和新型器件應(yīng)用等。這些報(bào)道幫助讀者了解行業(yè)的前沿動(dòng)態(tài)和創(chuàng)新方向。該雜志的目標(biāo)讀者主要是從事半導(dǎo)體研究和工程開(kāi)發(fā)的學(xué)者、研究人員、工程師和科技行業(yè)的專業(yè)人士。無(wú)論是從事學(xué)術(shù)研究還是應(yīng)用開(kāi)發(fā),他們可以通過(guò)該期刊了解半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新發(fā)展和研究成果,拓展自己的專業(yè)知識(shí)和技術(shù)應(yīng)用能力。通過(guò)發(fā)表研究論文、綜述和技術(shù)報(bào)告,促進(jìn)半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)的發(fā)展。
Journal of Semiconductors收錄信息
Journal of Semiconductors雜志榮譽(yù)
Journal of Semiconductors歷史收錄
- 北大核心期刊(2008版)
- 北大核心期刊(2004版)
- 北大核心期刊(2000版)
- 北大核心期刊(1996版)
- 北大核心期刊(1992版)
- 中國(guó)科技核心期刊
- 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-核心(2023-2024)
- 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-核心(2021-2022)
- 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-核心(2019-2020)
- 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-核心(2017-2018)
- 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-核心(2015-2016)
- 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-核心(2013-2014)
- 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)-核心(2011-2012)
- Web of Science數(shù)據(jù)庫(kù)
- Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)
- 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫(kù)
- 科學(xué)文摘數(shù)據(jù)庫(kù)
- 工程索引
- EBSCO學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫(kù)
- 中國(guó)科技期刊卓越行動(dòng)計(jì)劃
- 化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)
Journal of Semiconductors雜志特色
1、如作者不同意文章被收錄,請(qǐng)?jiān)趤?lái)稿時(shí)向本刊聲明,本刊將做適當(dāng)處理。來(lái)稿請(qǐng)用小四號(hào)字打印,同時(shí)提供打印稿和電子文本(word格式)。
2、論文應(yīng)有中英作者署名、工作單位、所在省、市名稱和郵編。如有多位作者,其間以逗號(hào)分開(kāi),其工作單位不同,應(yīng)按阿拉伯?dāng)?shù)字順序標(biāo)注在右上角,單位與單位之間用分號(hào)。
3、文內(nèi)一級(jí)標(biāo)題序號(hào)用1,2,3……,小四號(hào)黑體;文內(nèi)二級(jí)標(biāo)題序號(hào)用1.1,1.2,1.3……,五號(hào)黑體;余類推。各層次的序號(hào)均須左頂格,后空一字距后再接排標(biāo)題。
4、摘要的字?jǐn)?shù)要求在200字左右,要中英文對(duì)應(yīng)。內(nèi)容包含研究的目的、方法、結(jié)果和結(jié)論。
5、正文中標(biāo)題編排格式為:二級(jí)標(biāo)題用“一”或“一、……”(居中、宋體四號(hào));三級(jí)標(biāo)題用“(一)”(首行縮進(jìn)兩格、宋體五號(hào)加粗);四級(jí)標(biāo)題用“1.……”(宋體五號(hào))。
6、注釋統(tǒng)一采用尾注,并請(qǐng)以正文格式列于文章末尾,勿用word自動(dòng)生成;序號(hào)采用“[]”方括號(hào)標(biāo)注;外國(guó)作者國(guó)籍采用“〔〕”六角括號(hào)標(biāo)注。
7、圖、表和公式應(yīng)通篇分別編號(hào),圖題、表題應(yīng)有中英文對(duì)照。表格應(yīng)采用三線表形式,內(nèi)容以英文表述。參考文獻(xiàn)應(yīng)有中英文對(duì)照,并在正文中按順序引用。
8、前言應(yīng)交代本研究歷史背景、研究意義和研究目的,提出研究需要解決的問(wèn)題,重點(diǎn)闡述本研究創(chuàng)新點(diǎn)。
9、文章結(jié)構(gòu):稿件應(yīng)包括標(biāo)題、摘要、引言、材料與方法、結(jié)果、討論、結(jié)論、參考文獻(xiàn)等部分。其中,摘要應(yīng)簡(jiǎn)明扼要地介紹研究背景、目的、方法、結(jié)果和結(jié)論;引言應(yīng)明確研究背景與目的;材料與方法應(yīng)準(zhǔn)確描述實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)、樣本選擇、數(shù)據(jù)收集和統(tǒng)計(jì)分析方法;結(jié)果和討論分別闡述實(shí)驗(yàn)結(jié)果和對(duì)結(jié)果的解釋和討論。
10、外文文獻(xiàn)在前,中文文獻(xiàn)在后。同一作者不同時(shí)期的文獻(xiàn)按出版時(shí)間的先后順序排列。外文書(shū)名以斜體書(shū)寫(xiě),實(shí)詞首字母大寫(xiě);外文論文篇名以正體書(shū)寫(xiě),僅篇名首字母大寫(xiě)。每條頂格寫(xiě),回行時(shí)空兩格。