發(fā)布時間：2023-06-16 16:25:02
序言：寫作是分享個人見解和探索未知領域的橋梁，我們?yōu)槟x了8篇的集成電路與應用樣本，期待這些樣本能夠為您提供豐富的參考和啟發(fā)，請盡情閱讀。
關鍵詞： 厚膜; 電荷耦合器件; 驅動電路; 集成電路
中圖分類號： TN386.5?34 文獻標識碼： A 文章編號： 1004?373X（2015）06?0145?04
Design and application of highly?integrated circuit in photoelectric detection
SUN Zhen?ya， LIU Dong?bin
（Changchun Institute of Optics， Fine Mechanics and Physics， Chinese Academy of Sciences， Changchun 130033， China）
Abstract： Because of the large?scale and high?integration development for the space camera， and the limitation of space， the circuit has to be optimized， even some special technologies have to be used to reduce the area of the circuit board. In consideration of the complexity of driver circuit of CCD detector， the driver circuit was integrated in a module by the thick film technology. There are many advantages in thick film technology such as high reliability， flexible design， low cost and short cycle. The integrated area through the thick film technology was reduced to the 1/3 area as the original circuit board before integration. The output signal of the thick film integrated module is perfect for the demand of CCD detector. At the same time， the design provides a certain reference for the large?scale integrated circuit design in the space missions.
Keywords： thick film; CCD; drive circuit; integrated circuit
0 引 言
隨著人類對太空的探索，空間相機的發(fā)展越來越迅速。在許多空間光電探測的電路系統(tǒng)中多使用CCD （電荷耦合器件，Charge?Couple Device）來進行光電轉換。CCD是將入射光在所有光敏單元激發(fā)的光信號轉換成模擬電信號的光電轉換器件。該器件具有小體積、輕重量、低功耗、高精度、長壽命等優(yōu)點，被廣泛應用在空間光電探測、航天遙感觀測、載荷對地觀測等領域[1?3]。
CCD工作時需要適當?shù)臅r序驅動信號，并且產生的電信號需要進行后續(xù)處理后才能給控制系統(tǒng)識別。CCD產生的電信號是模擬信號需要進行相應的視頻處理電路，視頻處理電路系統(tǒng)包AFE（，Analog Front End，模擬前端），F(xiàn)PGA和數(shù)字信號處理模塊。
空間相機的發(fā)展越發(fā)趨向于大規(guī)模化高集成的設計，空間相機中的硬件電路的高度集成化變得越來越讓人們關注與研究。目前，關于空間光電探測電路系統(tǒng)的高集成度的技術發(fā)展主要體現(xiàn)在厚膜電路和半導體級的ASIC（Application Specific Integrated Circuits，專用集成電路）兩個領域。厚膜電路是將電阻、電容、電感、芯片的管芯通過互連的銅線在印制板上制成的，其優(yōu)勢在于性能可靠，設計靈活，投資小，成本低，周期短。ASIC是按照用戶的需求，在一個芯片上專門設計具有某些特定功能的集成電路，其性能高（可以比厚膜電路做的更高）、可靠性高。但是由于用戶的需求量少，對于用戶來說其成本相對較高，且難度高[4?5]。
為實現(xiàn)空間相機電子學的大規(guī)模化、高集成的要求，本文將比較通用的一款TDI CCD探測器的時序驅動電路模塊設計成厚膜集成電路，并且根據(jù)實際PCB版優(yōu)化厚膜電路設計和性能指標，得到了較好的結果。
1 TDI CCD探測器
該TDI（Time Delayed and integration，時間延遲積分）CCD探測器可以探測到兩類光譜區(qū)。這兩類光譜區(qū)分別是彩色B區(qū)和全色P區(qū)。由于實際情況需要，將該CCD探測器的時鐘工作頻率設定在20 MHz，行頻設置在1 kHz。由于該CCD探測器的光譜區(qū)多，所以它的驅動時序也是很復雜的，一共有89個驅動信號，將可以共用的信號合并后仍然有61個驅動信號。由于該探測器實際需求的驅動信號過多，本文中僅以CIxP為例講述驅動電路的設計以及實驗結果。表1中給出了該CCD探測器的CIxP驅動信號的電壓幅值范圍。該CCD探測器的驅動信號需要FPGA產生相應的時序的驅動信號，并通過相應的時序驅動電路變?yōu)樗枰碾妷悍捣秶?/p>
表1 CI和TCK時鐘驅動信號
圖1中的CIx和TCK的上升沿時間記為tr，典型值50 ns;CIx和TCK的下降沿時間記為tf，典型值50 ns;轉移時間記為ttran，典型值3.6 μs，根據(jù)實際工作需要改為1 ms;TCKB的信號周期記為TTCKB，根據(jù)行頻而定;TCKP的信號周期記為TTCKP，根據(jù)行頻而定;CI2的下降沿到CI1的上升沿的時間差記為t1，典型值0.5 μs;CI1的上升沿到CI3的下降沿的時間差記為t2，典型值0.5 μs;CI3的下降沿到CI2的上升沿的時間差記為t3，典型值0.5 μs;CI2的上升沿到CI4的下降沿的時間差記為t4，典型值0.5 μs;CI5的下降沿到CI3的上升沿的時間差記為t5，典型值0.5 μs;CI3的上升沿到TCK的下降沿的時間差記為t6，典型值0.5 μs;CI1的下降沿到CI4的上升沿的時間差記為t7，典型值0.5 μs;CI1和TCK的高電平時間記為tcla，典型值2.5 μs;CI2、CI3和CI4的低電平時間記為tclb，典型值1.5 μs。
2 驅動電路設計
本文針對該CCD探測器的驅動電路設計分為兩個步驟：
（1） 通過現(xiàn)在市面上的芯片選擇適合該驅動電路芯片設計而成。
（2） 對通過芯片設計的驅動電路做實驗得到與該CCD探測器相需求的時序結果，進行整合通過厚膜技術來實現(xiàn)最終電路。
最終的驅動電路分為左右兩個模塊（兩個模塊設計的完全相同）分別針對該CCD探測器左右驅動時序，并且把驅動電路中用到的LDO等電壓轉換模塊通過厚膜技術集成到一個模塊[6?7]。
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圖1 P和B區(qū)的垂直轉移時序圖
圖2給出了驅動模塊的管腳示意圖，該模塊可以產生一般的水平驅動信號（20 MHz）以及大部分的垂直驅動信號，51號腳是針對模塊內部的測溫度的熱敏電阻預留的。圖中的左側的上面兩組是輸入信號，右側的上面兩組是輸出信號。其他的為電源和地信號。
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圖2 驅動模塊的管腳圖
圖3給出驅動模塊的版圖，速度較快的水平驅動信號（20 MHz）均放在版圖的最，內部放置的是垂直轉移信號。該厚膜模塊最后的面積為37 mm×37 mm，約為原來沒有厚膜集成的[13]。
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圖3 驅動模塊的厚膜版圖
該模塊中集成的大部分芯片是EL7457，EL7457是一款高速度，同相位，四通道的CMOS驅動器。該驅動器可以驅動40 MHz的信號，并且輸出電流值可以達到2 A。
以CI1P，CI2P，CI3P，CI4P這4個信號為例，這4個信號的幅值范圍是-5～5 V，但是從圖2的時序圖中可以知道，CI1P的信號大部分的時間內都是低的，而CI2P，CI3P，CI4P的信號大部分的時間內都是高的。所以電路設計時將區(qū)別對待，由圖4知EL7457的供電電壓設置為10 V可以讓CIxP的信號幅值達到10 V，通過0.22 μF的電容隔直后，再通過二極管與電阻并聯(lián)接偏置電壓的設計將其拉到正常工作的范圍，出來的信號在工作電壓范圍方面就達到CCD手冊的要求。CI1P的偏置電壓設置為-5 V，當10 V的方波信號過來后由于二極管的正向鉗位作用使得CI1P的最小電壓是-5 V，所以得到了-5～5 V的信號，且無信號時為低（-5 V）。CI2P，CI3P，CI4P的的偏置電壓設置為5 V，當10 V的方波信號過來后由于二極管的正向鉗位作用使得CI2P，CI3P，CI4P的最大電壓是5 V，所以得到了-5～5 V的信號，且無信號時為高（5 V）。
OFFSET偏置電壓通過電阻分壓外接運放負反饋驅動的形式產生的，見圖5，采用這種電路結構優(yōu)勢在于可以減少電路中線性穩(wěn)壓器的數(shù)量，由于該探測器需求的驅動信號數(shù)量多，電壓值多，若所有電壓值都采用線性穩(wěn)壓器，不但會導致電路板尺寸會大很多，而且更加引入散熱的問題。同時偏置電壓信號所需要的電流相當?shù)男「静恍枰€性穩(wěn)壓器[8?9]。
3 驅動信號的實驗結果
針對CIxP的測試，在實驗測試中以驅動模塊的輸入信號（FPGA的輸出信號）TCKP_FPGA為基準信號，對CIxP以及其對于的OFFSET偏置電壓進行單組測量。
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圖4 CIxP原理圖
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圖5 OFFSET偏置電壓原理圖
圖6中的三組信號分別是：TCKP_FPGA（幅值范圍0～3.3 V）、CI1P（與TCKP_FPGA有相同的相位，幅值范圍-5～4 V）、以及CI1P信號對應二極管上的嵌位電壓OFFSET-5 V。
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圖6 CI1P的信號
圖7中的三組信號分別是：TCKP_FPGA（幅值范圍0～3.3 V）、CI2P（超前于TCKP_FPGA約0.5 μs，幅值范圍-4～5 V）、以及CI2P信號對應二極管上的嵌位電壓OFFSET+5 V（在TCKP_FPGA的下降沿末端有波動）。
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圖7 CI2P的信號
圖8中的三組信號分別是：TCKP_FPGA（幅值范圍0～3.3 V），CI3P（反向于TCKP_FPGA，且下降沿到TCKP_FPGA的上升沿的時間約延后0.5 μs，幅值范圍-4～5 V）、以及CI3P信號對應二極管上的嵌位電壓OFFSET+5 V（在TCKP_FPGA的下降沿末端有波動）。
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圖8 CI3P的信號
圖9中的三組信號分別是：TCKP_FPGA（幅值范圍0～3.3 V）、CI4P（反向于TCKP_FPGA，且下降沿到TCKP_FPGA的上升沿的時間約延后1.5 μs，幅值范圍-4～5 V）、以及CI3P信號對應二極管上的嵌位電壓OFFSET+5 V（在TCKP_FPGA的下降沿末端有波動）。
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圖9 CI4P的信號
CIxP的四組信號由于實際電路圖中的電容分壓導致最終幅值沒有達到10 V，但是仍然在CCD的手冊要求范圍內。OFFSET電壓在信號變化較多的點會有串擾導致波動，但是對實際的CIxP影響甚微[10?11]。
4 結 語
通過厚膜技術對驅動電路集成后的面積減少到[13]，雖然該模塊需要添加散熱，但是面積的減少使得在同樣面積的PCB上集成更多的模塊，實現(xiàn)更多的CCD陣列。對所有驅動信號用示波器進行測量，均滿足要求。本文中僅給出CIxP的信號波形進行事例。實驗結果表明驅動電路的厚膜技術可以滿足在光電探測中的集成應用。本設計中的驅動電路的厚膜集成也對其他航天任務中大規(guī)模電路的集成提供了一定的參考借鑒作用。
參考文獻
[1] 葉培軍，劉福安，曹海翔.線陣探測器KLI?2113線陣CCD器件主要性能參數(shù)及測試方法[J].中國空間科學技術，1997，17（3）：44?51.
[2] BOYLE W S， SMITH G E. Charge coupled semiconductor devices [J]. The Bell System Technical Journal， 1970， 49（1）： 587?593.
[3] 孫大維，趙樣.CCD組件參數(shù)測試系統(tǒng)的設計[J].艦船電子工程，2013，33（7）：92?94.
[4] 孫景旭，劉則洵.CCD成像電子學單元光電參量測試系統(tǒng)[J].應用光學，2013，34（2）：289?294.
[5] 張航，劉棟斌.線陣探測器KLI?2113總劑量輻照性能試驗分析[J].發(fā)光學報，2013，34（5）：611?616.
[6] HU Liao?lin， WANG Bin， XUE Rui?yang. Signal recovery of noise introduced after compressed sensing [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering， 2014， 22（10）： 2840?2846.
[7] 胡遼林，王斌，薛瑞洋.壓縮感知后引入噪聲的信號恢復[J].光學精密工程，2014，22（10）：2840?2846.
[8] JIA Hua?yu， LIU Li， ZHANG Jian?guo. Wide band current?mode amplifier for pipelined ADC [J]. Editorial Office of Optics and Precision Engineering， 2014， 22（10）： 2855?2860.
[9] 賈華宇，劉麗，張建國.流水線模數(shù)轉換器中的寬帶電流型運算放大器[J].光學精密工程，2014，22（10）：2855?2860.
【關鍵詞】超導；熱膨脹；電子軌道；能量損失
1.背景介紹
超導現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)是二十世紀科學界的最偉大的發(fā)現(xiàn)之一。當材料的溫度降到臨界溫度Tc以下時，它的電阻會變?yōu)榱恪Ａ汶娮璎F(xiàn)象的產生具有很大的實用意義，當材料達到超導態(tài)之后，它所傳導的電流的能量損失變?yōu)榱悖绻h距離輸電采用超導材料作為導線的話，可以采用較低的輸電電壓以避免高壓輸電所帶來的安全隱患[1]。
目前超導材料的轉變溫度已經(jīng)從金屬汞的4.2K提高到了釔鋇銅氧超導材料的液氮溫度附近，但是對于實際應用來說，這個溫度還是很低。對于超導現(xiàn)象的機理來說，目前被認可最多的是1957年由Bardeen，Cooper和Schrieffrer等提出的BCS理論[2]，該理論在一定程度上揭示了超導現(xiàn)象的產生機理，但是該理論也有較大的局限性，目前尚有許多關于超導材料的問題不能利用BCS理論來解釋。
2.理論分析
與溫度相關的材料的物理參數(shù)除了電阻之外，熱膨脹系數(shù)也是一個常見的參數(shù)，當溫度升高時，材料晶格內的點陣振動幅度增大，材料的體積增大。同時，由于點陣振動幅度的增大，載流子在電場的驅動下的運動受到更大程度的影響，所以材料的電阻增大。
按照以上理論推斷，當溫度達到0K時，晶格中點陣的振動完全停止，此時晶格振動對載流子傳遞的影響減弱為零，此時電阻的大小變?yōu)榱恪５沁@與超導材料臨界溫度存在的現(xiàn)象并不一致，因為按照晶格振動影響載流子傳遞所產生電阻的理論，電阻應該會隨著溫度的下降而下降，直到溫度降為0K時才降為0。但是材料的超導態(tài)是在溫度降到低于臨界溫度之后突然達到的，所以說，材料超導的臨界溫度的達到并不能完全利用晶格振動對材料中電子傳播的阻礙作用來解釋。
3.結果與討論
對于普通的金屬材料來說，它內部的載流子是金屬電子層外部自由電子所形成的電子氣。相對來說，金屬原子的最外層電子受到原子核的束縛最小，在電場存在的條件下容易被電場驅動。大量的外層電子在電場的驅動作用下附加了一個平行于電場的漂移運動，這樣體現(xiàn)在宏觀上是金屬外層自由電子所形成的電子氣整體上附加了一個漂移運動，這樣電流產生[3]。我們對金屬外層的單個自由電子進行分析可以發(fā)現(xiàn)，當電子在電場的作用下進行漂移運動時，總會出現(xiàn)電子在不同金屬原子之間的傳遞。金屬原子的最外層電子是金屬核外電子中具有最高能量的，當單個電子在徹底離開一個金屬原子核的束縛進入另外一個金屬原子核的束縛范圍內，需要吸收能量來脫離上一個金屬原子，這些能量來源于電場能[4]。當這個電子進入到下一個金屬原子核的束縛范圍之內后，落入下一個金屬原子的最外層電子軌道。此時這個電子所吸收的多余能量會釋放出去，釋放的能量會變?yōu)闊崮軅鬟f給晶格。這樣消耗電場能轉變?yōu)闊崮艿倪^程是電阻的產生機理。如果按照晶格振動干擾電子傳播的的理論，隨著溫度的升高，晶格之中點陣之間的距離減小，在電場的作用下，外層自由電子與晶格之中的點陣碰撞的幾率會大大的減小，溫度升高，電阻應該下降，但是這與實際情況相反。如果按照金屬外層電子脫離外層軌道在原子間遷移的理論來解釋溫度與電阻的關系可以避免這一理論與事實不符的現(xiàn)象。
當溫度足夠低時，相鄰的兩個金屬原子之間的距離減小，兩個金屬原子之間的外層軌道可能會無限接近以致重疊，此時在電場的作用下，最外層電子在兩個金屬原子之間遷移不存在電子吸收能量再釋放能量的過程，沒有能量損失，體現(xiàn)在宏觀上是電阻為零。
一般來說，化合物比單質金屬具有更高的臨界溫度，而對于具有較高的臨界溫度的高溫超導體來說，它們一般是具有類似鈣鈦礦的化合物結構[5]。相對于金屬離子來說，氧離子要小很多，并且在高溫超導材料中，至少含有兩種金屬元素，這些金屬元素可能存在于正八面體晶格的頂點或者正八面體晶格的中心，而氧離子處于晶面上[6]。這樣的話，各原子的外層軌道得失電子的情況比較復雜，最外層電子的分布排列已經(jīng)完全變化。氧離子的存在，填充了金屬離子之間的間隙，這樣的話，各離子最外層電子之間的能量差距變小，電子從一個金屬原子到另外一個金屬原子所需要的能量會減小。這樣體現(xiàn)在宏觀上，體系電阻變小。當溫度足夠低，各離子的最外層軌道相重合的時候，電子在離子之間遷移消耗的能量減為零，此時體現(xiàn)在宏觀上電阻為零。
總結上文所述的理論，超導現(xiàn)象產生的原因是隨著溫度的下降，晶格的振動頻率與幅度減小，同時金屬原子之間的距離變小，原子的最外層參與導電的電子之間的最外層軌道重合，這樣電子在兩個原子之間遷移的能量損失為零。如圖1所示，在臨界溫度以上時，在電場的作用下，A原子的最外層電子a從A原子遷移向B原子，電子a首先吸收電場能脫離原子A的束縛，而當電子a到達原子B時，由于電子a所具有的能量要大于B原子的最外層電子所具有的能量，電子a進入原子B的束縛范圍，首先要釋放出多余的能量，這些多余的能量會以熱能的形式傳遞給點陣，這就是電阻的的產生。當溫度下降到臨界溫度以下后，兩個相鄰的原子之間的距離下降，原子的最外層電子之間的間隙變?yōu)榱悖藭r在電場的作用下，電子在兩個原子之間的遷移不存在能量的吸收與釋放，此時電場能的損失為零，體現(xiàn)在宏觀上為零電阻態(tài)。
按照以上的理論，導體內的相鄰的原子參與導電的外層電子之間的距離越小，則該導體的電阻越小。這一理論可以利用某些元素的在常壓下難以獲得超導態(tài)，而在高壓的狀態(tài)下可以獲得超導態(tài)來解釋[7]。當施加在材料上的壓力足夠大，相鄰的原子之間的距離被壓縮，這樣的話，某些即使降低到很低的溫度下依然不能得到超導態(tài)的材料才能夠轉變?yōu)槌瑢B(tài)。
一般來說單質導體的臨界轉換溫度不會太高，具有較高臨界溫度的超導體一定是化合物。這些化合物需要有如下的性質，在一定的溫度下，參與導電的兩個原子的最外層導電電子的軌道應該是重合的。已知氫負離子由于其核外電子數(shù)是核電荷數(shù)的兩倍，具有比較大的半徑[8]，如果有合適的化合物中具有氫正離子，氫離子可能成為兩個相鄰的參與導電的原子的外層電子之間的“橋梁”，使得兩個相鄰的外層電子軌道之間沒有間隙，電子能夠在不消耗能量的條件下從一個原子遷移向另外一個原子，這樣就能夠得到較高的臨界溫度。
超導材料的應用在集成電路方面的應用潛力是巨大的。隨著集成電路產業(yè)的不斷發(fā)展，單一的微電子器件的線寬已經(jīng)變得越來越小。目前集成電路器件之間的互聯(lián)一般采用金屬鋁或者金屬銅，由于器件做的越來越小，單位面積內的器件密度也變得越來越大，金屬互聯(lián)的密度也變得越來越大，這樣密集的金屬互聯(lián)具有極大的電阻，會產生大量的熱量，限制器件的工作頻率。如果采用超導材料的話，它的工作性能將大大的提高，線寬可以進一步的減小。■
【參考文獻】
[1]裕恒.超導物理[M].中國科學技術大學出版社，2009.
[2]Bardeen J et al.Theory of superconductivity[J].Physical Review，1957，108（5）： 1175.
[3]王海東等.金屬中的熱質運動―電子氣的熱質狀態(tài)方程[J].工程熱物理學報，2010 （5）：817-820.
[4]王貴昌等.主族金屬元素電子脫出功的計算[J].金屬學報，2000，36（8）：790-792.
[5]Tarascon J M，et al.3d-metal doping of the high-temperature superconducting perovskites La-Sr-Cu-Oand Y-Ba-Cu-O[J].Physical Review B， 1987，36（16）： 8393.
[6]康振晉等.鈣鈦礦結構類型的功能材料的結構單元和結構演變[J].化學通報，2000，4：23-26.
9月27-28日,由中國電子學會和中國通信學會通信專用集成電路委員會主辦的"第八屆中國通信集成電路技術與應用研討會(簡稱CCIC 2010)"在武漢勝利召開,CCIC為通信集成電路領域最頂級的技術盛會,曾先后在昆明、杭州、大連、成都、西安、蘇州、上海成功舉辦過七屆,本屆會議結合通信技術的發(fā)展,圍繞集成電路技術、市場、熱點應用,重點探討集成電路在通信領域的創(chuàng)新應用,包括LTE芯片技術、下一代移動通信與移動互聯(lián)網(wǎng)、光通信、CMMB、RFID、移動多媒體、射頻集成電路技術等。
隨著第三代移動通信(3G)全面部署和服務普及,三網(wǎng)融合的不斷推進以及物聯(lián)網(wǎng)概念的興起,中國通信市場正面臨著新一輪的發(fā)展契機。2010年,移動通信將在經(jīng)濟與社會發(fā)展過程中發(fā)揮更重要的作用,寬帶化、智能化、個性化、媒體化、多功能化和環(huán)保化將成為移動發(fā)展的新趨勢;三網(wǎng)融合的穩(wěn)步推進將極大的促進光通信產業(yè)的發(fā)展;物聯(lián)網(wǎng)技術的廣泛應用將帶動智能傳感器、計算機、通信網(wǎng)絡、集成電路和軟件等多個產業(yè)的發(fā)展,并有望成為一個新的萬億元規(guī)模的超級通信產業(yè)。這將給中國的集成電路產業(yè)帶來了新的廣闊發(fā)展空間。
為期兩天的技術論壇讓與會者受益匪淺。會議得到了武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管委會和烽火通信的大力支持,來自全國的通信企業(yè)、集成電路企業(yè)以及行業(yè)有關專家、學者近300參加了會議。
泰景科技向在外務工人員
捐贈電視手機
9月27日,致力于讓電視移動起來的泰景信息科技有限公司出席在武漢召開的“2010年中國通信集成電路技術與應用研討會”,并于當天的招待晚宴上向武漢東湖國家高新技術開發(fā)區(qū)工會捐贈了100臺帶有免費電視功能的手機。中國通信學會通信專用集成電路委員會副主任委員趙綸、肖定中、武漢東湖國家高新技術開發(fā)區(qū)工會主席李復鳴和泰景信息科技有限公司執(zhí)行總裁云維杰先生出席了捐贈儀式。用戶可以利用這個手機的電視功能免費收看廣播式的電視節(jié)目,即時了解他所工作生活的城市,也能更多的看到家鄉(xiāng)的信息。
對在外務工人員的人文關懷已經(jīng)成為了一個社會熱點,相關企業(yè)和政府機構也逐步認識到新一代的務工人員相比于他們的父輩,從文化層面和經(jīng)濟層面,乃至整個心理層面都發(fā)生了翻天覆地的變化,這一變化直接導致他們與傳統(tǒng)的管理方式激烈碰撞以及引發(fā)的一系列悲喜劇。
泰景科技借用自身的研究成果,利用手機接收傳統(tǒng)的模擬電視,讓用戶隨時隨地都可以免費收看實時的電視節(jié)目,而不產生額外的費用。這對于收入不高的務工人員將是一個理想的工具,可以拉近他們與這座他們?yōu)橹羷诘某鞘械木嚯x,同樣也更貼近自己日夜牽掛的家鄉(xiāng)。泰景科技希望能通過這種方式給出門在外的務工人員更貼心的關懷。這一想法得到了武漢東湖開發(fā)區(qū)管委會的認同,湖北是一個務工人員流入和流出都很普遍的省份,免費移動電視可以成為在外務工人員的一個心理慰藉。正是中國通信集成電路協(xié)會和了武漢東湖開發(fā)區(qū)工會的大力支持促成了此次捐贈。相信這一小小的功能將會為外出務工人員的業(yè)余生活增添色彩,也為他們帶去社會和政府的關愛。
東芝推出全球讀寫速度最快的
SDHC UHS-I存儲卡
東芝日前宣布推出符合SD存儲卡標準Ver. 3.0(SD 3.0)――UHS 104、實現(xiàn)全球最快的讀取寫入速度的 8GB、16GB和32GB容量SDHC UHS-I 存儲卡系列。此外,東芝還推出了世界上首款microSDHC UHS-I存儲卡,容量為 4GB、8GB 和16GB,拓展了其在存儲卡解決方案領域的行業(yè)領先地位。
今年11月,東芝將開始新型SDHC UHS-I存儲卡的量產以及新型microSDHC UHS-I存儲卡樣品的交付。
新型SDHC UHS-I存儲卡是全世界首款完全符合SD 3.0――UHS104標準的存儲卡,其將NAND閃存卡超快的讀取和寫入速度提升到了一個新臺階:最大讀取速度達每秒95MB,寫入速度達每秒80MB。
新型microSDHC UHS-I存儲卡是全世界首款符合SD 3.0--UHS50標準的microSDHC存儲卡,其讀取和寫入速度為同類產品之最:最大讀取速度達每秒40MB,寫入速度達每秒20MB。
Aptina推出8MP
完備相機解決方案CCS8140
CMOS成像技術的領先創(chuàng)新者Aptina宣布推出其新款功能豐富的8MP CCS8140成像解決方案。CCS8140解決方案利用公司在像素、處理和封裝方面的創(chuàng)新技術,將高品質MT9E013 8MP CMOS影像傳感器與Aptina MT9E311成像協(xié)處理器完美結合,同時其各方面的處理速度保持在與獨立影像處理器類似的水平。經(jīng)全面調節(jié)的Aptina CCS8140整套相機解決方案可提供一流的影像品質,同時僅需極少的調節(jié)和傳感器調整即可完成最終產品設計。該解決方案不僅可以為移動手持設備OEM和相機模塊集成商縮短設計時間,提高產品性能優(yōu)勢,而且還可降低開發(fā)及總體系統(tǒng)成本。
Intel推出多功能芯片
宣告顯示適配器可退休了
英特爾(Intel)發(fā)表首款整合繪圖與影片處理效能的處理器芯片架構,瞄準行動裝置市場,并進一步威脅超威(AMD)和英偉達(Nvidia)的繪圖芯片業(yè)務。
英特爾執(zhí)行長歐德寧將近日舉行的英特爾科技論壇(IDF)上,發(fā)表這款名為“Sandy Bridge”的微處理器芯片架構。Sandy Bridge芯片設計把微處理器電路、和處理繪圖與影片效能的電路整合到同一顆芯片上,可大幅減少個人計算機(PC)所須使用的繪圖芯片(GPU)數(shù)量。
Sandy Bridge芯片架構預計下季投產,將成為英特爾整個產品線的基礎。這種芯片整合新方式象征科技業(yè)的一大轉變:未來PC可能再也不必額外安裝顯示適配器。
英特爾發(fā)言人柯納夫指出,英特爾把繪圖效能和主要處理器整合到同一顆芯片之后,將擁有成本優(yōu)勢,并減少芯片耗能、提高運算效率。英特爾的最新設計顯然是著眼行動裝置市場。
歐德寧指出,由于智能手機等電子產品的成本和空間彌足珍貴,多功能芯片的地位也將水漲船高,他說:“適用于各類裝置、汽車和電視產品的單一芯片裝置,將漸成市場趨勢。”
陶氏電子材料新推出可稀釋硅溶膠
研磨液,降低制程缺陷程度
陶氏電子材料近日推出新一代KLEBOSOL II 1630研磨液,這是一種進階的可稀釋的研磨液,它綜合了硅溶膠研磨液和氣相二氧化硅研磨液的優(yōu)點。KLEBOSOL 研磨液是為先進半導體制造技術而研發(fā)的,它為CMP提供了一種性能卓越,低耗材成本的產品。
KLEBOSOL II 1630研磨液中含有加長列形硅溶膠顆粒。該產品將硅溶膠的高穩(wěn)定性,處理簡易特性以另一種新的形貌結合在一起,這種新的形貌可以提供與氣相二氧化硅相似的研磨功能,并且可稀釋。這使得KLEBOSOL II 1630在極具成本競爭力的同時還能保有硅溶膠研磨液的特性,這些特性包括優(yōu)異的移除率穩(wěn)定性,低缺陷率,高研磨能力以及嚴整的制程控制等。
ARM推出下一代芯片設計
A15 性能提高五倍
ARM負責營銷的副總裁Eric Schorn近日在一個新聞會上推出了該公司的下一個重要的芯片設計Cortex-A15 MPCore,并且許諾這種新的芯片設計將把性能提高五倍。ARM希望這種新的芯片設計將使ARM的芯片應用從智能手機擴展到高性能路由器和服務器。 Cortex-A15這個名字反應了這種處理器有多大進步。ARM目前的處理器是Cortex-A8和Cortex-A9。
Schorn說,A15芯片距離以產品的方式出貨還有很長時間。實際上,它的上一代產品A9預計在今年年底才能出貨。使用A15芯片的智能手機和其它產品將在2012年年底出貨。
A15芯片將采用32納米和28納米生產工藝生產。ARM表示,德州儀器、三星電子和意法半導體愛立信已經(jīng)購買了這個新的設計的許可證。
力科重新定義示波器上的
串行數(shù)據(jù)解碼和調試新標準
力科公司了六款新的串行數(shù)據(jù)解碼器選項 - ARINC 429, USB 2.0, MIPI D-PHY (包括 CSI-2 和 DSI) 以及DigRF 3G 解碼器,除此之外,全新的PROTObus MAG(測量、分析和圖形)串行調試工具集也同時,這大大增強了力科在串行解碼市場的領導者地位。PROTObus MAG 增強了I2C, SPI, UART, RS-232, CAN, LIN, FlexRay, DigRF 3G, 和 MIL-STD-1553 解碼器的功能,包括了許多數(shù)據(jù)提取,時序和其他測量和圖形工具。比如, 通過PROTObus MAG,客戶可以進行通用電路驗證測量比如計算協(xié)議幀和一個模擬波形之間的時序。這套工具集也提供了業(yè)界獨家的特性,能從支持的串行數(shù)據(jù)消息中提取數(shù)字數(shù)據(jù)并且將數(shù)據(jù)值隨著模擬波形表示變化的趨勢以圖形的方式繪制出來。
2010年中國國際IP核
推介會上海舉行
在工業(yè)和信息化部電子信息司的指導和國家集成電路公共服務聯(lián)盟的大力支持下,由工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進中心(CSIP)主辦,上海集成電路技術與產業(yè)促進中心承辦的2010年中國(上海)國際IP核推介會于近日在上海集成電路技術與產業(yè)促進中心1樓多功能廳舉行。
此次推介會將深入分析和探討我國IP核市場發(fā)展現(xiàn)狀,并重點推介接口類IP核技術,來自各知名廠商的技術專家將與各位分享接口類IP的相關技術和應用解決方案,推動我過IP及SoC市場的健康良性發(fā)展。同時,繼2010年中國國際IP核推介會北京站對我國自主創(chuàng)新嵌入式CPU的推介,上海站也將對國產嵌入式CPU進行深入研究。
微捷碼層次化RTL-to-GDSII
參考流程正式面市
微捷碼(Magma)設計自動化有限公司近日宣布,一款經(jīng)過驗證的支持Common Platform聯(lián)盟32/28納米低功耗工藝技術的層次化RTL-to-GDSII參考流程正式面市。這款自動全面的解決方案可為以32/28納米先進工藝節(jié)點制造的具有200萬個單元級電路及更大型的片上系統(tǒng)(SoC)提供可預測結果并降低其開發(fā)成本。
這款層次化參考設計的實施采用了微捷碼的全RTL-to-GDSII流程和ARM的32/28納米LP工藝庫以及標準單元、存儲器編譯器和GPIO(通用型輸入輸出)。它的成功實施證明了這款流程提供了創(chuàng)建多電壓域(multi-Vdd)低功耗SoC所需的所有主要功能,驗證了工具與庫的互操作性,通過加入樣本設計還促進了用戶對流程的快速采用。此樣本設計可通過微捷碼或Common Platform聯(lián)盟進行訪問。
星科金朋切入12英寸
晶圓級BGA封裝技術
全球第4大封測廠星科金朋(STATS ChipPAC)宣布12英寸嵌入式晶圓級球閘陣列(Wafer-Level Ball Grid Array;eWLB)技術具備量產能力之后在新加坡舉行了新廠落成啟用典禮。星科金朋指出,該公司為首家具備12英寸重組(reconstituted)晶圓量產能力的封測廠,單季出貨量可以達到3萬片重組晶圓,未來3年將擴大eWLB資本支出,提升產能規(guī)模,以迎合芯片小型化的需求。
星科金朋表示,該公司在eWLB技術的投資至今已逾1億美元,現(xiàn)已具備eWLB量產技術,累計至今的出貨量已達3,500萬顆。該公司認為,從8英寸轉進切入12英寸領域,可以使客戶降低生產成本,同時也能擴大生產經(jīng)濟規(guī)模,享有比8英寸晶圓為高的生產效率。
泰克公司推出三位一體的
計時器/頻率計/分析儀
泰克公司近日宣布推出FCA3000與FCA3100系列計時器/頻率計/分析儀及MCA3000系列微波頻率計/分析儀。這些儀器能與包括示波器和任意波形/函數(shù)發(fā)生器在內的其它泰克臺式儀器無縫集成,在實現(xiàn)更低擁有成本的同時,提供業(yè)界領先的頻率和時間分辨率。
AppliedMicro采用Tensilica
Dataplane數(shù)據(jù)處理器
Tensilica近日宣布 ,AppliedMicro (Nasdaq:AMCC)采用了Tensilica Xtensa LX Dataplane數(shù)據(jù)處理器(DPU)進行其最新的高速通信芯片設計。
AppliedMicro高級工程經(jīng)理Sean Campeau表示:“Tensilica DPU具備高帶寬以及類似于FIFO隊列的高性能接口,由此可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在處理器內外的快速傳輸,這是AppliedMicro選擇Tensilica的主要原因。這些高速接口獨立于系統(tǒng)總線之外,可以幫助我們在處理器上實現(xiàn)之前只能通過RTL(寄存器傳輸級)邏輯才能實現(xiàn)的性能。這大大減少了我們的設計時間并為我們提供了更具靈活性的解決方案。”
泰鼎數(shù)字電視SoC帶來高端視覺體驗
機頂盒和電視半導體解決方案供應商泰鼎微系統(tǒng)近日宣布推出完全集成數(shù)字電視片上系統(tǒng) HiDTV Pro-SXL,通過泰鼎第二代增強超級分辨率技術突顯網(wǎng)絡互聯(lián)、全球范圍數(shù)字電視標準支持以及卓越圖像質量等特點。泰鼎HiDTV Pro-SXL片上系統(tǒng)具有成本低、功能豐富的特點,在低成本平臺上帶來通常高端電視才具有的性能,使得消費者能夠享受例如視頻點播、音頻點播、新聞和體育等領先的網(wǎng)絡服務。
HiDTV Pro-SXL芯片配置了泰鼎第二代增強超級分辨率(ESR)技術,能夠提供業(yè)界最佳的圖像質量,在實現(xiàn)卓越的降噪功能的同時保留細節(jié)。
羅姆攜手日沖開發(fā)
Intel新一代嵌入式處理器
半導體廠商羅姆株式會社與羅姆集團的日沖半導體公司共同開發(fā)完成了LSI芯片組的3個部件,它與美國Intel公司針對嵌入用途而新開發(fā)的“Intel ATOMTM處理器 E6xx系列”(開發(fā)代號“Tunnel Creek”)共同構成系統(tǒng),是不可或缺的組件。羅姆集團開發(fā)的芯片組由3部分構成,分別是1. Input-Output Hub LSI (IOH) (車載信息娛樂系統(tǒng)專用、IP媒體電話專用的2種機型)、2. 芯片組電源管理LSI(PMIC)、3. 時鐘發(fā)生器LSI(CGIC),IOH的2種機型由日沖半導體公司開發(fā),電源管理LSI和時鐘發(fā)生器LSI則由羅姆負責,此次開發(fā)實現(xiàn)了芯片組所需3種機型的體系化,同時使用這些芯片組的參考板也已完成,可向客戶供應產品。
飛思卡爾MZ系列單片機
為國網(wǎng)電表提供完備芯片方案
在剛剛結束的飛思卡爾技術論壇(FTF)上,飛思卡爾也展示了為中國國網(wǎng)新標準而特別研發(fā)的、專供中國國網(wǎng)應用的新一代智能微控制器(MCU)MZ系列。
飛思卡爾MZ系列是智能電表用MCU,有8位和32位兩種,分別基于S08內核和ColdFire內核。兩者均支持新國網(wǎng)標準有關基本計量功能增加,費控功能復雜,具備多種抄表通訊模式,以及電子線路布局布線位置相對固定等特點。
MZ系列最主要的特點是所有芯片都可以實現(xiàn)64引腳芯片完全兼容,工程師在更改設計時可以無需修改PCB布線,從而可以直接進行產品升級。此外,該系列產品采用的是同一套開發(fā)工具,軟件和模塊移植性強,大大減少開發(fā)時間。外置LCD驅動,可以讓客戶把LCD驅動和LCD放在一起,減少布線,提高方案抗干擾能力。
中芯國際最新技術路線圖
32 nm研發(fā)加速進行
中芯國際近日舉辦了技術研討會,恰逢其成立10周年,新領導班子的集體亮相、最新技術路線圖的、研發(fā)進展狀況等,成為了此次研討會的最大亮點。“中芯國際對于技術的發(fā)展投入不遺余力,這也是我們能夠在中國半導體業(yè)界得以領先的最重要原因。”中芯國際COO Simon Yang博士說,“今年年底我們將結束55nm的研發(fā),本月底40nm的研發(fā)將freeze,32nm的設備PO已發(fā)出,研發(fā)也已于今年5月啟動。”
“截至2010年8月底,中芯國際的專利共4060件。雖然與國際先進公司還有差距,但是在國內已遙遙領先。我們的45/40nm光罩完全由中芯國際自己的光罩廠制造,充分證明了中芯國際在芯片制造領域的實力。”Simon Yang博士坦言。
“毫無疑問,Intel是芯片制造技術的領先者,最先進的技術往往由Intel。作為代工廠,中芯國際的65/60nm技術大約比其晚4年,但是從45/40nm開始,我們的研發(fā)已經(jīng)加速,32nm技術只落后2年左右。預計在2013年3月,我們的32nm就將進行產品驗證。” Simon Yang博士說。
周梅生博士從工藝角度對中芯國際的技術進行了解析。“在柵極部分,32nm將會采用高K金屬柵工藝,以此取代以往的Poly/SION,這是亮點,當然也是難點所在,中芯國際將會采用的是Gate Last技術;在關鍵的光刻部分,依然是采用現(xiàn)在主流的浸入式光刻;應變硅部分會采用SMT和SiGe。
季明華博士重點介紹了邏輯和SOC技術。“中芯國際的45nm LL(Low Leakage)和GP(Generic with High Performance)來自IBM,在此基礎上形成了中芯國際的45nm LL和GP技術,再進一步經(jīng)過縮小,即有了40nm LL和GP。40LL將在本月底freeze,隨后會經(jīng)過3-6個月的認證。從技術層面看,SoC技術它以超深亞微米VDSM(Very Deep Submicron)工藝和知識產權IP為支撐,是集成電路發(fā)展的必然趨勢和主流,也是中芯國際未來的重點之一。
32nm芯片的研發(fā)費用已高達$100milion,但中芯國際32nm加速發(fā)展,22nm也已提上日程。無論是產業(yè)布局,還是技術發(fā)展進度,中芯國際都已成為中國芯片制造業(yè)的標桿。
國產自主知識產權
北斗多模導航芯片應用兩周年
近日,我國在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心用“三號甲”運載火箭,成功將第五顆北斗導航衛(wèi)星送入太空預定軌道,這標志著北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)組網(wǎng)建設又邁出重要一步。
北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)是中國正在實施的自主發(fā)展、獨立運行的全球衛(wèi)星導航系統(tǒng)。其建設目標為:建成獨立自主、開放兼容、技術先進、穩(wěn)定可靠的覆蓋全球的北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng),促進衛(wèi)星導航產業(yè)鏈形成,形成完善的國家衛(wèi)星導航應用產業(yè)支撐、推廣和保障體系,推動衛(wèi)星導航在國民經(jīng)濟社會各行業(yè)的廣泛應用。
目前,北斗衛(wèi)星導航系統(tǒng)已成功應用于測繪、電信、水利、漁業(yè)、交通運輸、森林防火、減災救災和國家安全等諸多領域,產生了顯著的經(jīng)濟效益和社會效益。特別是在四川汶川、青海玉樹抗震救災中發(fā)揮了非常重要的作用。
凌陽科技大學召開2010年“嵌入式、
3G&物聯(lián)網(wǎng)”前沿技術研討會
2010年10月14日～11月15日,凌陽科技大學計劃本著“為中國數(shù)碼教育盡份心力”的宗旨,將在全國10個省市召開題為“嵌入式、3G&物聯(lián)網(wǎng)” 前沿技術的巡回會。 會議期間,您可以領略到最新的嵌入式、3G&物聯(lián)網(wǎng)應用技術與方案及眾多的相關教學設備。凌陽科技大學計劃展示的豐富資料、提供的完善支持,將幫您找到減輕嵌入式教學負擔的方法;把學習和就業(yè)融為一體的服務體系,將給您提供解決電子類專業(yè)畢業(yè)生就業(yè)問題的新途徑。
安捷倫與創(chuàng)毅視訊合作
完成TD-LTE芯片的射頻性能測試
安捷倫科技有限公司與TD-LTE芯片制造商―創(chuàng)毅視訊近日宣布,雙方已合作完成TD-LTE的數(shù)據(jù)卡射頻性能的測試。本測試參考3GPP LTE規(guī)范及創(chuàng)毅視訊測試需求,基于安捷倫的N5182A信號發(fā)生器及N9020A信號分析儀平成。本次聯(lián)合測試遵循3GPP標準規(guī)定的第六章及第七章的芯片發(fā)射機及接收機的測試規(guī)范,這也是兩家公司一次成功的合作。
飛思卡爾與Nepes Corporation
簽署生產RCP的授權協(xié)議
飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)近日宣布,該公司已經(jīng)與Nepes Corporation簽署了一項授權協(xié)議,Nepes Corporation將以較低成本的300mm規(guī)格生產飛思卡爾的重分布芯片封裝(RCP)技術。
Nepes于今年早些時候在其位于新加坡的工廠(Nepes Pte)中安裝了300mm整套設備和制造工藝,這些設備和工藝可提供多層單芯片和多芯片系統(tǒng)級封裝解決方案。Nepes的這個初創(chuàng)技術公司正在建造中,預計將于2011年第一季度投入批量生產。
展訊通信單芯片
三卡三待手機方案SC6600L7
展訊通信有限公司日前全球首款單芯片三卡三待手機方案 SC6600L7 ,該方案可支持三張 GSM SIM 卡在一部手機上同時待機。這是展訊繼2008年推出業(yè)界首款單芯片雙卡雙待方案 SC6600L2 后的又一重要產品舉措。
展訊單芯片三卡三待方案只需通過一套基帶與射頻的硬件配合,即可支持三張 GSM SIM 卡同時待機;芯片內部集成三卡引擎處理器及控制器,采用 DSP 實現(xiàn)了三卡通訊協(xié)議的固件,并改善了圖形用戶界面,提供了前所未有的用戶體驗,完全符合多 SIM 卡標準。展訊 SC6600L7 三卡三待手機解決方案不僅繼承了展訊 SC6600L2 的全部性能特性,并提供全功能的第三方硬件可擴展性。
TI首款0.9V MCU推動消費類電子
與安全應用實現(xiàn)更低成本的創(chuàng)新
近日,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款名符其實的 0.9 伏微控制器 (MCU),該款超低功耗 MSP430TM MCU 系列的最新產品可推動單節(jié)電池供電的、更小巧、更低成本的產品創(chuàng)新。與現(xiàn)有號稱 0.9 V 技術的 MCU 不同,包括整個模擬與數(shù)字邏輯的 TI MSP430L092 MCU 本身工作電壓就為 0.9 V。
力科推進5Gbps+測試測量時代
歷時四個多月,全國10個城市。力科公司2010年高速串行數(shù)據(jù)測試技術巡回研討會勝利召開。該次研討會的主題是“攜手力科,迎接5Gbps+測試測量時代”。力科公司系統(tǒng)總結了當前高速串行數(shù)據(jù)的測試測量的挑戰(zhàn),就這些測試測量的挑戰(zhàn)性問題和全國各地共1,000余位工程師進行了面對面的技術交流。
工程師們對這次研討會的評價是“精彩、實用、深入、前所未有……” 這些評價和力科公司此前公開承諾的要舉辦一次“純粹”的,“頭腦風暴式”的“技術研究性質”的研討會所預期的相一致。
安森美下一代
計算產品用平臺方案
安森美半導體(ON Semiconductor)推出一系列新產品,簡化及加速計算平臺的設計,包括應用于即將的第二代Intel Core處理器系列(代號Sandy Bridge)。這些新產品包括高能效電源管理器件,以及應用于高帶寬通信接口、降低能耗及節(jié)省電路板空間的先進集成電路(IC)。這些技術進一步擴充安森美半導體用于臺式計算機、筆記本和服務器等平臺方案的陣容,其中還包括系統(tǒng)輸入端器件及用于保護和熱管理的元器件。
華虹設計支持UCPS的
HDMI發(fā)送器SHC3201
上海華虹集成電路有限責任公司(簡稱華虹設計)日前宣布推出全球首款支持UCPS標準、符合HDMI 1.3標準的發(fā)送器SHC3201。 SHC3201發(fā)送器主要功能特征包括: 225 MHz HDMI v1.3支持36bits深色(Deep Color)應用; 支持UCPS1.0和HDCP1.2; 在80MHz時功耗僅100mW左右,非常適用便攜式多媒體終端; 待機功耗極低(小于30μA); 顯示數(shù)據(jù)通道(DDC)支持; 支持S/PDIF和8通道I2S音頻記錄格式并且以192kHz速率發(fā)送立體聲或7.1通道環(huán)繞聲; 100pin TQFP 或 85pin TFBGA封裝。
同時華虹設計可提供165MHz HDMI V1.2版(SHC3202)和225MHz HDMI V1.3版(SHC3203)的物理層(PHY)解決方案,這兩個解決方案包括發(fā)送器物理層半導體和配套鏈路層知識產權(IP)核。
凌力爾特推出匹配RMS的功率檢測器
凌力爾特公司 (Linear Technology CorporatiON) 推出 40MHz 至 6GHz 雙通道、匹配 RMS 功率檢測器 LTC5583 ,該器件在 2.14GHz 時提供超過 55dB 的隔離。在 RF 功率放大器 (PA) 應用中,LTC5583 為準確測量正向功率、反向功率和電壓駐波比 (VSWR) 提供了一個簡單的解決方案。該器件由一對 60dB 動態(tài)范圍的 RMS 檢測器組成,這些檢測器匹配至 1.25dB。
國半與Shoals、灝訊等
合推智能型太陽能系統(tǒng)接線盒
美國國家半導體公司(National Semiconductor Corporation)最近積極推廣SolarMagic電源優(yōu)化器,并分別與灝訊集團、Shoals Technologies集團等合作推出智能型太陽能系統(tǒng)。
美國國家半導體SolarMagic芯片系列屬于智能型的電源管理電路,可以最大化提高太陽能系統(tǒng)中每一塊或每一組光電板的發(fā)電量。Shoals的太陽能系統(tǒng)配件包括接線盒、組合接線盒、“即插即用”的線束解決方案、光電板監(jiān)控系統(tǒng)及托架排列系統(tǒng)。
Sagemcom高端機頂盒
采用意法半導體網(wǎng)絡電視SoC
機頂盒芯片供應商意法半導體與歐洲領先的機頂盒制造商Sagemcom聯(lián)合宣布,Sagemcom將采用意法半導體先進的STi7108系統(tǒng)級芯片設計其最新的高端機頂盒,進而提高電視服務提供商的靈活性,讓終端用戶獲得更豐富的視覺體驗。
STi7108 系統(tǒng)級芯片針對廣播/網(wǎng)絡電視雙模機頂盒,芯片上集成一個高性能主處理器、專用3D圖形控制器、一個PVR硬盤接口,以及以太網(wǎng)接口和USB端口,可連接個人媒體存儲或數(shù)碼相機等設備。芯片內置基于ARM的3D圖形引擎,支持最新的用戶界面和3D電子節(jié)目指南(EPG),以及先進的網(wǎng)絡內容和高性能游戲。
IR推出業(yè)內首款8引腳
高效諧振半橋控制IC
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出業(yè)界首款8 引腳高效諧振半橋控制IC,能夠讓液晶電視和顯示器、家庭影院系統(tǒng)、臺式電腦、打印機和游戲機應用的開關電源 (SMPS) 達到高效的節(jié)能效果。
IRS2795 (1,2) S諧振半橋控制IC采用8引腳 SO-8封裝,提供高度可編程和保護功能。其主要性能包括50%固定占空比和高達 500kHz的可編程開關頻率、可編程軟啟動頻率和軟啟動時間,以及適用于所有負載條件,為優(yōu)化零電壓開關 (ZVS) 而設的可編程死區(qū)時間去實現(xiàn)高效率和低開關噪聲。
凌力爾特推出硅振蕩器LTC6992
涵蓋3.81Hz至1MHz范圍
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出硅振蕩器 LTC6992,該器件是 TimerBlox 硅定時器件系列的最新成員。LTC6992 針對 3.81Hz 至 1MHz 的輸出頻率提供簡單和準確的脈沖寬度調制 (PWM) 功能。該器件的頻率可用 1 至 3 個電阻器設定,具有保證低于 1.7% 的頻率誤差。此外,頻率可以通過單獨的控制電壓來動態(tài)地控制。輸出脈沖寬度 (占空比) 簡單地用一個 0V 至 1V 的模擬信號控制。LTC6992 在加電后 500us 以內提供無干擾和首周期準確的啟動。
恩智浦Plus CPU技術打造
2014俄冬奧會公交票務系統(tǒng)
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.近日宣布,Plus CPU非接觸式微型控制器已中標俄羅斯索契市(2014年冬奧會主辦城市)陸路交通網(wǎng)自動售檢票(AFC)系統(tǒng)項目。這也是Plus CPU技術首次進入俄羅斯和獨聯(lián)體國家。恩智浦將攜手解決方案供應商/設備制造商Strikh-M公司、嵌體制造商SMARTRAC公司以及智能卡生產商Novacard,為乘客和公交運營商帶來非接觸式AFC全面優(yōu)勢體驗。該項目目前正處于試驗階段。
歐勝推出全球最高電流
單片電源管理芯片WM8325
歐勝微電子股份有限公司宣布推出極富創(chuàng)新的WM8325電源管理子系統(tǒng),該子系統(tǒng)是世界上最高電流的單片電源管理芯片(PMIC),它為包括智能本、平板電腦、電子書、媒體播放器以及智能手機在內的各種便攜式多媒體應用提供了一種高性價比、靈活的解決方案。 WM8325的特點是帶有4個可編程的直流-直流轉換器,其中包含一個可以提供高達2.5A的轉換器;它同時還集成了11個低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO),其中的4個用于以低噪音方式為靈敏的模擬子系統(tǒng)供電。
微芯推出PIC18F87J72
電能監(jiān)測PIC單片機
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出用于單相多功能智能計量和電能監(jiān)測應用的8位PIC18F87J72單片機(MCU)系列。該系列具有64或128 KB的閃存程序存儲器和4 KB RAM,以實現(xiàn)分時電價和復費率功能;高度集成了多種外設,包括LCD驅動器、硬件實時時鐘/日歷(RTCC)和采用電容式觸摸用戶界面的充電時間測量單元(CTMU)。
Tensilica和4M Wireless宣布合作
Tensilica和4M Wireless近日宣布了合作關系,4M Wireless已將其整套PS100 LTE協(xié)議棧移植至Tensilica ConnX Atlas LTE參考架構。4M Wireless正式加入到Tensilica Xtensions合作伙伴網(wǎng)絡,并已移植其PS100 LTE協(xié)議棧至同為Tensilica合作伙伴的Blue Wonder Communications的LTE系統(tǒng)平臺上。
思亞諾ATSC
移動數(shù)字電視芯片SMS1530
專注于移動數(shù)字電視芯片供應商――思亞諾,了一款針對美國移動數(shù)字電視市場的新產品。這款由思亞諾攜同ATSC (移動/手持)標準的主要開發(fā)者LG電子合作研發(fā)的新品被稱為SMS1530,其支持ATSC A/153移動數(shù)字電視標準。除了可以優(yōu)化移動和手持設備的信號傳輸,ATSC移動數(shù)字電視還能支持廣泛的服務,如免費電視、實時互動業(yè)務、訂制電視節(jié)目、文件下載存儲并用于重播等,這一標準還能用于一些新的數(shù)據(jù)廣播業(yè)務的傳輸。
三星選擇maXTouch解決方案
助力GALAXY Tab平板電腦
愛特梅爾公司宣布三星電子選用愛特梅爾maXTouch解決方案助力其新近的GALAXY Tab 平板電腦,這是三星電子全新移動平板電腦系列的首款產品。SAMSung GALAXY Tab 使用Google Android 2.2操作系統(tǒng),具有類似PC的網(wǎng)絡瀏覽功能、強大的多媒體功能、移動電郵、語音和視頻通話功能。此外,這款新型平板電腦還可使用Android市場的眾多應用程序。
S2C在中國Allegro DVT的
H264/AVC認證流和IP
S2C日前宣布與Allegro DVT合作,在中國銷售Allegro DVT產品。Allegro DVT是一家領先的H.264/MPEG-4 AVC/SVC/MVC解決方案供應商,包括行業(yè)標準的兼容性測試組件和H.264編碼器及解碼器VHDL 知識產權模塊。Allegro DVT產品與S2C現(xiàn)有的SoC原型產品和硅知識產權產品鏈互補。S2C將在不同設計階段為Allegro DVT客戶提供增值的支持和服務。
Diodes推出DIOFET器件提升負載點
轉換器的效率及可靠性
Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產品,將一個功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負載點 (PoL) 轉換器的低側MOSFET位置,有助于提升效率,同時降低大批量計算、通信及工業(yè)應用中快速開關負載點轉換器的工作溫度。
在10V 的VGS電壓下,DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分別僅為10mΩ及8.5mΩ。這些器件能把通常情況下與低側MOSFET相關的導通損耗降至最低。
奧地利微電子推出采用I2C接口的
最小線性霍爾傳感器IC
奧地利微電子公司最近推出AS5510線性霍爾傳感器IC,具有業(yè)內尺寸最小的10位數(shù)字輸出分辨率。AS5510采用微小的1.46 × 1.1mm芯片規(guī)模封裝,包括一個I2C 2線串行接口,以便在4種不同靈敏度范圍內切換,并實現(xiàn)到微控制器的簡單的數(shù)據(jù)傳輸。
AS5510專為消費類應用設計,其線性磁編碼器的大小、功能和性能適用于變焦及自動對焦相機系統(tǒng)等空間有限的閉環(huán)位置控制系統(tǒng)中進行非接觸式線性位置傳感。它可以測量一個典型橫向行程0.5 - 2 mm、有1.0 mm空氣間隙的簡單2極磁鐵的絕對位置。更加強大的磁鐵可以實現(xiàn)更高的橫向行程和空氣間隙。
Altera通過新系統(tǒng)級集成工具,針對嵌入式系統(tǒng)配置功能啟動嵌入式計劃
為加速實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)中可編程邏輯與處理器的集成,Altera公司日前其嵌入式計劃。通過這一計劃,Altera為設計人員提供了基于Quartus? II開發(fā)軟件的單一FPGA設計流程――包括新的Qsys系統(tǒng)級集成工具、公用FPGA知識產權(IP)庫,以及新的ARM? CortexTM-A9 MPCoreTM和MIPS?技術公司MIPS32嵌入式處理器產品等。利用這一設計流程,嵌入式設計人員能夠迅速方便的面向Altera Nios? II、基于ARM和MIPS的嵌入式處理器以及最近的可配置Intel? AtomTM處理器開始設計。Qsys系統(tǒng)級集成工具利用了業(yè)界首創(chuàng)的FPGA優(yōu)化芯片網(wǎng)絡技術來支持多種業(yè)界標準IP協(xié)議,提高了結果質量,具有很高的效能。
GLOBALFOUNDRIES與SVTC合作,
加速推動微機電系統(tǒng)(MEMS)晶圓量產
GLOBALFOUNDRIES日前宣布與SVTC 技術公司結成戰(zhàn)略聯(lián)盟,加速進行微機電系統(tǒng)(MEMS)的量產制造。這項合作著重于技術開發(fā)合作,將有助GLOBALFOUNDRIES達成目標,成為MEMS晶圓廠的領導者。
微機電系統(tǒng)(MEMS)是半導體市場成場最快的區(qū)塊之一,MEMS應用廣泛,從車用感應器、到噴墨打印機、到高端智能手機與游戲控制器都有MEMS的應用。然而MEMS的制造過去主要局限于特定的晶圓制造廠,采用“單一制程、單一產品”的方式。為了讓MEMS市場得以持續(xù)快速成長,GLOBALFOUNDRIES正采取積極策略,通過與CMOS流程類似的標準化方式,將MEMS從特定制造平臺轉移到量產平臺。
賽靈思推出ISE 12.3設計套件
進一步優(yōu)化功耗
賽靈思公司最近宣布推出 ISE?12.3設計套件,這標志著這個FPGA 行業(yè)領導者針對片上系統(tǒng)設計的互聯(lián)功能模塊, 開始推出滿足AMBA? 4 AXI4 規(guī)范的IP核,以及用于提高生產力的 PlanAheadTM 設計和分析控制臺,同時還推出了用于降低了Spartan?-6 FPGA 設計動態(tài)功耗的智能時鐘門控技術。
賽靈思AMBA 4 AXI4 規(guī)范的部署,意味著客戶可以用統(tǒng)一的方法實現(xiàn)IP模塊互連,同時還能通過對IP 的利用和復用更全面地使用設計資源,并簡化所有 IP提供商之間的集成,進而支持即插即用的 FPGA 設計。就內核使用和集成工具而言,ISE 設計套件12.3 的推出, 增強了CORE GeneratorTM 工具,通過提供高度參數(shù)化的 IP以及賽靈思 Platform Studio 和 System Generator 工具,使設計人員能夠迅速配置系統(tǒng)架構、總線和外設,從而顯著加速設計進程。
ADI公司推出高集成RF
與IF可變增益放大器
ADI最近推出一系列高度集成的RF/IF可變增益放大器 (VGA) ADL5201、ADL5202、ADL5240和ADL5243。這些新產品的集成度均實現(xiàn)較大突破,單器件中最多可集成4個分立RF/IF模塊。無線系統(tǒng)制造商借助這種前所未有的集成度,能夠大幅降低器件數(shù)量和物料成本。除了卓越的集成度,新款 VGA 還具有業(yè)界領先的性能、線性度和靈活性,非常適合蜂窩基站、工業(yè)/儀器和國防設備等要求嚴苛的應用。
PMC-Sierra和Sigma Designs 聯(lián)合展示端到端 FTTx 和 HomePNA 解決方案
網(wǎng)絡架構半導體解決方案提供商PMC-Sierra 公司日前宣布與家庭娛樂和控制系統(tǒng)芯片(SoC)解決方案供應商Sigma Designs 公司聯(lián)合展示以太網(wǎng)無源光網(wǎng)絡 (EPON) 和 HomePNA 同軸電纜傳輸快速以太網(wǎng) (EoC) 解決方案,該方案將為有線電視運營商提供端到端功能,實現(xiàn)FTTx 技術的部署。
這次聯(lián)合展覽將展示PMC-Sierra 基于 1G 或 10G EPON 技術且具有強勁性能的端到端 EPON 解決方案,結合 Sigma 公司的 CG3210M 快速 EoC? 芯片集,可以為中國有線電視的多住宅單元 (MDU) 用戶提供高品質的視頻傳輸,實現(xiàn)簡易配置、極高的服務質量和可靠性。
士蘭微電子推出6-36V輸入、1A大功率遲滯型LED驅動芯片SD42525
士蘭微電子近期推出了一款高性能、高可靠性、大功率的綠色照明驅動解決方案核心芯片――6~36V輸入,1A大功率遲滯型LED驅動芯片SD42525。該芯片采用了士蘭微電子“對輸出電流隨輸入電壓變化進行補償”和“輸入輸出壓差較小時用最大占空比限流”等專利技術,基于士蘭微電子專為綠色節(jié)能產品所開發(fā)的高性能BCD工藝,并在單芯片內集成了LDMOS功率開關管,內置了PWM調光模塊和多重保護功能。該芯片為降壓、恒流型LED驅動電路,具有很高的轉換效率,適合于MR16等多種LED照明領域。
Maxim推出低噪聲放大器
關鍵詞 探究式教學 微波技術 微波電路
中圖分類號：G424 文獻標識碼：A DOI：10.16400/ki.kjdkx.2016.03.040
0 引言
“微波技術基礎與微波電路”是通信與信息、電子與電氣等專業(yè)通用的重要的專業(yè)基礎課。本課程涵蓋了微波技術的基本內容，①包括微波傳輸線及其理論、微波網(wǎng)絡理論、微波無源元件及微波有源電路等，實現(xiàn)了承上啟下、從低頻電路到高頻電路的過渡。既有用電磁場理論即所謂“場”的理論分析波導傳輸線、波導諧振腔等的工作原理與特性，也有用網(wǎng)絡理論即“路”的理論分析同軸線、帶狀線、微帶線及其組成的微波元件的工作原理、工作特性，還有關于具有高頻特性的微波二極管及其電路、微波晶體管及其電路的分析。因此，學生普遍反映該課程內容廣、公式多，比較難學。針對課程特點及學生學習中遇到的問題，為激發(fā)學生的學習積極性，發(fā)揮他們自主學習的能力，應采用多種教學手段，如“啟發(fā)式教學”、“討論式教學”、“探究式教學”等以提高教學效果。
本文簡單介紹了“探究式教學”的概念，列舉了在“微波技術基礎與微波電路”課程教學中運用“探究式教學”的幾個案例。
1 探究式教學法簡介
關于探究式教學法，關鍵詞就是要明確什么是探究。美國國家科學教育標準中對探究的定義是：②“探究是多層面的活動，包括觀察，提出問題，通過瀏覽書籍和其他信息資源發(fā)現(xiàn)什么是已經(jīng)知道的結論，制訂調查研究計劃，根據(jù)實驗證據(jù)對已有的結論作出評價，用工具收集、分析、解釋數(shù)據(jù)，提出解答、解釋和預測，以及交流結果。探究要求確定假設，進行批判的和邏輯的思考，并且考慮其他可以替代的解釋。”
探索式教學法在具體應用時，由教師提出一些事例和問題，通過閱讀、觀察、實驗、思考、討論等過程，讓學生自己獨立探究，自行發(fā)現(xiàn)并掌握其中的原理和結論。它的指導思想是發(fā)揮學生的主體地位，讓學生主動地思考，探索認識和解決問題的方法和步驟，研究具體事例中的客觀屬性，發(fā)現(xiàn)事例內部的聯(lián)系和發(fā)展規(guī)律，從中找出相應的討論結論，形成自己的概念和觀點。可見在探究式教學的過程中，突出強調學生的主體地位和自主能力。學生需要主動思考，提出問題并解決問題，而不是讓學生直接接受書本上或者教師給出的現(xiàn)成結論。
實施探究式教學法包括以下幾個步驟：③
（1）設問質疑階段。根據(jù)教學目的和內容，準備相應的事例和問題，提出的問題應經(jīng)過精心考量，難度適度、邏輯合理。為了充分發(fā)揮學生自主學習能力，也可以引導學生自己去發(fā)現(xiàn)問題。
（2）探索研究階段。督促學生擬定合理的研究計劃，選擇恰當?shù)姆椒āＳ蓪W生收集資料，充分利用圖書或者互聯(lián)網(wǎng)資源，對資料進行分析研究，包括數(shù)據(jù)分析，歸納，尋求問題的答案。這個過程可以由學生單獨完成，也可以組成研究小組來完成，要注意培養(yǎng)學生尋求合作的團隊精神。
（3）思考作答階段。經(jīng)過探索研究階段，學生要把相關的資料進行總結梳理，對問題得出自己的觀點和結論。不同的研究小組可以就同一問題分別提出本組不同的解釋或看法，將自己的結論清楚地表達出來，匯總后大家共同探討。
（4）分享矯正階段。各個研究小組把自己的探究結果介紹給全體同學，展開討論、辯論，通過比較和綜合，使不準確的部分得到完善。教師在這個過程中要適時給予指導，肯定長處，指出不足，營造熱烈又融洽的交流氛圍。
2 “微波技術基礎與微波電路”課程教學中運用“探究式教學”的案例
根據(jù)“微波技術基礎與微波電路”課程標準及教學大綱要求，針對課程內容，我們在教學過程中合理地選擇以下幾個具有代表性的問題點，運用“探究式教學法”達到較好的教學效果。
（1）電磁場理論中“唯一性定理”、“復坡印廷定理”和低頻電路理論中“復功率定理”的應用。用電磁場理論分析微波電路的工作特性，可以通過求解滿足一定邊界條件的麥克斯韋爾方程組的方法，這種方法可以得到精確解，但往往由于邊界條件的復雜性而得不到解析解、或者數(shù)學求解過程本身就十分繁瑣，即便用數(shù)值解法也很耗時。而用微波網(wǎng)絡理論來分析微波電路的工作特性，則可避免上述這些缺陷，更大的好處是網(wǎng)絡參量是可以通過實驗裝置測定的，雖然結果是近似正確的，但能滿足工程應用。問題的關鍵是：為什么微波電路可以等效為微波網(wǎng)絡？如何將微波電路等效為微波網(wǎng)絡？在學生充分理解用微波網(wǎng)絡理論分析微波電路工作特性的優(yōu)點的基礎上，我們把這兩個問題作為學生探究學習的內容布置下去，安排10個學生分成兩組，分別探究學習以上兩個問題，并作適當探究提示：從以前學過的知識中去尋找理論支持。
兩組學生分別收集了參考資料并進行探究學習，一組學生在電磁場理論中找到了理論依據(jù)―“唯一性定理”，但對“唯一性定理”如何用還存在疑慮。老師向這組學生展示了一些微波電路實物，并再次啟發(fā)他們網(wǎng)絡端口參考面上電壓、電流與橫向電場、磁場的對應關系，這組學生經(jīng)過再次討論學習，很快理解了“唯一性定理”是把微波電路等效為微波網(wǎng)絡的理論基礎。另一組同學在通過討論，認為應用電磁場理論中的“復坡印廷定理”可以把微波電路等效為微波網(wǎng)絡，因為“復坡印廷定理”反映了流入、流出閉合體的電磁能量與閉合體中電磁儲能及耗能的關系，但對微波網(wǎng)絡的電路表現(xiàn)形式還不清楚。老師啟發(fā)學生再研究復功率定理及集總參數(shù)電感、電容的儲能特性，學生把電場儲能與電容儲能對應、磁場儲能與電感儲能對應、閉合體耗能與電阻耗能對應，結合低頻電路理論中的“復功率定理”，找出了把微波電路等效為集總參數(shù)網(wǎng)絡的方法。
（2）網(wǎng)絡參考面移動對網(wǎng)絡參量的影響。微波傳輸線上存在分布參數(shù)的串聯(lián)電感、串聯(lián)電阻、并聯(lián)電容、并聯(lián)電導，傳輸線上各點的電壓波和電流波的幅度和相位都不同，因而把微波電路等效為微波網(wǎng)絡時，端口參考面位置的變化將使網(wǎng)絡參量發(fā)生變化，這是微波網(wǎng)絡理論區(qū)別于低頻網(wǎng)絡網(wǎng)絡之處。微波網(wǎng)絡理論中通常用散射參量來表征微波電路的工作特性，我們把探究網(wǎng)絡端口參考面移動如何影響網(wǎng)絡的散射參量作為一個研究課題交予學生，并要求他們通過實驗驗證。
學生們在深入學習研究微波傳輸線理論后，掌握了微波傳輸線上不同位置歸一化入射波、反射波幅度和相位的關系，在理論上推導了微波網(wǎng)絡端口參考面移動后散射參量的變化規(guī)律。隨后探究了二端口互易網(wǎng)絡散射參量的測試方法，自己搭建實驗平臺，先測出給定微波二端口網(wǎng)絡的散射參量，再通過在二端口網(wǎng)絡端口加、減傳輸線的方法改變端口參考面，測出新的二端口網(wǎng)絡的散射參量，對理論推導結果進行了驗證。在學生實驗驗證過程中，老師進一步提出了如何用實驗方法驗證多端口網(wǎng)絡的端口參考面移動對散射參量的影響，同學們在深入分析并理解端口參考面移動對網(wǎng)絡散射參量影響的原理，及實驗法測量二端口網(wǎng)絡散射參量的原理后，很快找出了實驗驗證方法。
參加兩個探究課題的學生均寫出了詳細的學習、研究報告，并在課堂上進行了講解討論，與其他同學們分享了探究成果。
3 結束語
以上只是我們在實施“微波技術基礎與微波電路”課程教學過程，采用精心設計的運用“探究式教學法”案例中的兩個。第一個案例讓學生在探究學習過程中，充分體會到大學課程設置的科學性、知識的連貫性，學好每一門課程對掌握知識的重要性。第二個案例讓學生深刻理解了微波的特點，發(fā)揮了他們的想象力，培養(yǎng)了他們的實際動手能力。同學們普遍反映，通過探究式的教與學，提高了他們的學習興趣，鍛煉了邏輯思維能力，表示要在今后的學習中要主動參與、主動探索、主動思考、主動實踐。同時，如何更好地運用“探究式教學法”，也對老師提出了更高的要求，老師要在如何精心地設置探究課題、如何引導學生探究、如何指導學生對探究成果進行總結等方面下功夫。
注釋
① 范壽康.微波技術與微波電路[M].北京：機械工業(yè)出版社，2011.
Abstract： The core function of Running Monitoring Platform for Transmission Line in Smart Grid is the status of primary electric power equipment monitoring. Base on the functions of real-time safety monitoring and safety early-warning and integrated electric asset management system， this platform implements the life cycle management of electric asset. The tradition platforms are only focus on real-time status of electric asset monitoring and early warning which cannot form the whole cycle of asset management. By using this platform， the electric company will reduce a bunch of time and cost on manage the electric asset and improve the efficiency of emergency repair.
關鍵詞： 電力資產管理；全生命周期管理；電力一次設備狀態(tài)監(jiān)測
Key words： electric asset management；whole life cycle management；primary electric power equipment monitoring
中圖分類號：TP39 文獻標識碼：A 文章編號：1006-4311（2013）06-0163-02
0 引言
近年來，隨著電力資產全壽命周期管理理念的提出，已有眾多電力企業(yè)在此領域展開深入的實踐與探索。資產全壽命周期管理起源于全周期成本管理（LCC），是LCC管理理念的發(fā)展，是系統(tǒng)工程理論在資產管理上的應用。資產全壽命管理是以資產作為研究對象，從系統(tǒng)的整體目標出發(fā)，統(tǒng)籌考慮資產的規(guī)劃、設計、采購、建設、運行、檢修、技改的全過程。在滿足安全、效能的前提下，追求資產全壽命周期成本最優(yōu)、實現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化的科學方法。電網(wǎng)公司作為資金密集型企業(yè)，具有資產分布廣泛、管理鏈條長、設備壽命周期長、實物變動與價值變動不一致等特點，給電網(wǎng)資產運行、維護與管理帶來了極大壓力。
隨著山東電網(wǎng)的快速發(fā)展和狀態(tài)評價工作的全面開展，山東電力集團公司檢修公司在狀態(tài)評價與電力資產精益化管理方面不斷深化研究，實現(xiàn)狀態(tài)評價工作的可持續(xù)發(fā)展。本文將介紹面向服務輸變電設備狀態(tài)評價工作的電力資產管理系統(tǒng)與智能電網(wǎng)輸電線路運行監(jiān)控平臺集成的方法設計與實現(xiàn)。
1 系統(tǒng)設計需求分析
1.1 電力資產倉庫管理目標分析 電力設備管理是一項復雜而艱巨的工作。作為電力資產全壽命周期管理的一部分，系統(tǒng)目標定位從電力設備使用的現(xiàn)狀和設備資產管理的現(xiàn)實出發(fā)，以設備的運維檢修為著眼點，側重于設備的運維管理，建立以設備管理為核心、服務輸變電設備狀態(tài)評估為目標的資產管理系統(tǒng)，包括記錄設備基礎臺賬數(shù)據(jù)、運行技術參數(shù)以及運行狀態(tài)和檢修數(shù)據(jù)，同時還有備品配件的管理信息。我們希望通過該系統(tǒng)的使用，可以提高設備可利用率及可靠性、控制維護與維修費用、延長設備生命周期，實現(xiàn)企業(yè)利潤最大化。系統(tǒng)將目標定位在優(yōu)化資源配置、降低生產成本以及提高狀態(tài)評價工作的效率。
1.2 電力資產倉庫管理對象分析 電力企業(yè)屬于資產分散型企業(yè)，具有資產使用部門眾多、使用地方范圍大、資產分類復雜等特點。電力資產大致可以分為輸電線路、變電設備、配電線路及設備、用電計量設備及通訊設備、自動化設備、工具器具、運輸設備、房屋建筑物等十幾大類。
由于該系統(tǒng)是面向服務輸變電設備狀態(tài)評價工作的開展而設計的，并非一般企業(yè)的固定資產管理系統(tǒng)，因此在管理目標的劃定及分類設計上，我們秉承國家電網(wǎng)公司下達的《網(wǎng)省公司輸變電設備狀態(tài)評價中心運行管理規(guī)范》中的指導思想，將電力設備設定為主要管理目標，并涉及到與設備檢修過程中有密切關系的工具器具、運輸設備、通訊設備等相關物品。由于管理對象包含范圍大，為了在實際應用過程中方便用戶查詢和管理，根據(jù)實際情況，將所有物品首先按照電力一次設備、二次設備、輔助設備三大類進行劃分，其中又可以以電壓等級、資產管理單位等方法對物品進行子類劃分。
1.3 系統(tǒng)功能性需求分析 根據(jù)系統(tǒng)目標的設定，該系統(tǒng)以設備資產全生命周期為功能設計主線，跟蹤物料的入庫、出庫、安裝、運行、維修、變更和報廢。功能主要分為兩大方面：倉庫物料出入庫管理和倉庫物料調配管理。在倉庫物料出入庫管理方面應實現(xiàn)物料臺賬管理，為每一件物品建立基礎臺賬，包括物品的名稱、分類名稱、入庫日期、生產廠家信息、管理單位名稱、物品型號、存儲地點、出庫日期、安裝位置、物品狀態(tài)等。倉庫物料調配管理基于各類物品的綜合查詢和統(tǒng)計管理，具體查詢方式可以按照部門、物品類型、廠家或設備ID，使用者可以通過系統(tǒng)快速統(tǒng)計出該類物品可用數(shù)量和分布位置。
2 系統(tǒng)設計
2.1 功能設計 倉庫管理系統(tǒng)主要包括以下功能模塊：臺賬管理、維護維修管理、設備查詢、設備調撥、系統(tǒng)后臺管理等功能模塊。
（1）資產臺賬管理：建立資產目錄位置結構樹，按照公司各部門、各工區(qū)逐級劃分資產歸屬單位，為各部門建立電力資產設備臺賬；建立設備資產卡片，建立資產卡片和設備臺賬對應名錄。臺賬不但包括設備基本的入庫、廠家信息以及具體的存放位置，還包括各類設備的型號及特性參數(shù)。
（2）維護維修管理：建立資產健康記錄表，為每一件設備建立起一份設備運行健康情況的詳細記錄，其中包括設備生產日期、最后一次檢修日期、缺陷記錄、檢修人員、廠家信息。健康記錄表的建立可以方便倉庫管理員掌握每一項資產的運行情況，合理重估資產價值，便于安排下一年的采購計劃。
（3）設備查詢：可以根據(jù)設備采購日期、使用年限、供應商品牌、設備分類等多種條件進行綜合查詢。
（4）設備調撥：通過電網(wǎng)運行狀態(tài)實時預警報警功能和電網(wǎng)缺陷故障記錄，可獲知哪些設備需要進行維修或更換，根據(jù)具體情況，可調撥巡檢人員需要的維修工具、替換設備、搶修車輛，依照就近原則安排所需設備出庫，并做出庫登記。
2.2 架構設計 倉庫管理系統(tǒng)作為智能電網(wǎng)輸電線路運行監(jiān)控平臺的一個二級子系統(tǒng)，延續(xù)了主系統(tǒng)的B/S結構設計，數(shù)據(jù)庫管理系統(tǒng)采用Oracle，主要負責數(shù)據(jù)的存儲、檢索，為數(shù)據(jù)提供完整性、安全性控制。客戶端運行在Windows操作系統(tǒng)上，通過網(wǎng)絡及Oracle專用接口連到服務器。業(yè)務處理模塊是針對各倉庫出入庫所需要處理的管理模塊，包括物料到貨登記、入庫登記、物料出庫、物料報損以及缺損登記。智能電網(wǎng)輸電線路運行監(jiān)控平臺通過調用接口讀取倉庫管理系統(tǒng)的資產庫存的電網(wǎng)資產相關信息，結合電網(wǎng)運行狀態(tài)實時預警報警功能和電網(wǎng)缺陷故障記錄，綜合分析出電網(wǎng)巡檢和電網(wǎng)搶修的最佳方案。
3 倉庫管理在智能電網(wǎng)輸電線路運行監(jiān)控平臺中的應用
智能電網(wǎng)輸電線路運行監(jiān)控平臺主要業(yè)務模塊側重于對在線運行電力一次設備的狀態(tài)監(jiān)控和預測，倉庫管理系統(tǒng)信息的集成可以實現(xiàn)對電網(wǎng)資產的全壽命周期管理，以及對固定資產進行全過程跟蹤。通過倉庫管理信息的集成，展現(xiàn)了資產歷經(jīng)的整個生命周期過程，掌握資產信息及變動情況。查看資產的詳細信息時，可以瀏覽到資產經(jīng)歷的整個生命周期過程，包括入庫、出庫、安裝、運行、維修、折舊、報廢在內的全生命周期管理，降低了管理人員統(tǒng)計維護的工作難度。
智能電網(wǎng)輸電線路運行監(jiān)控平臺中的主要功能模塊——狀態(tài)預警以及狀態(tài)評估，可以指導合理有效地安排巡檢作業(yè)，科學性地判斷電力一次設備的檢查維護需求，結合倉庫管理系統(tǒng)中的物品庫存信息，可以實現(xiàn)現(xiàn)代資產盤點管理流程閉環(huán)，有效避免人員的重復性勞動。
兩系統(tǒng)集成后的核心功能為搶修方案輔助決策模塊，其最主要的優(yōu)勢為使巡視檢修和搶修工作轉變?yōu)榱鞒袒⒁?guī)范化管理模式。通過與工作流的結合，系統(tǒng)可實現(xiàn)智能化輔助決策功能，大大提高在突發(fā)事件發(fā)生后形成決策的效率并可以有效復用以往的經(jīng)驗。
參考文獻：
[1]李磊，曲俊華.電廠資產管理系統(tǒng)的設計與實現(xiàn)[J].電力系統(tǒng)自動化，2005，29（13）：80-83.
而近年來全國工程教育認證標準發(fā)生較大的變化，電子科學與技術專業(yè)的電類課程設置，逐漸被光學類課程所取代，影響了各高校專業(yè)培養(yǎng)方案的制定。本文通過總結國內各高校電子科學與技術專業(yè)基礎與核心課程設置的經(jīng)驗，分析本科專業(yè)對應于電子科學與技術一級學科所屬的各二級學科的基礎知識，對于將集成電路設計設置為電子科學與技術專業(yè)核心課程，來完善電子科學與技術專業(yè)課程體系設置進行了探討。
1 全國工程教育認證標準
全國工程教育認證是我國高等教育為了融入世界得到全球高等教育界的認可而開展的認證，自2007年開始試點實行。近些年來，全國工程教育認證標準已經(jīng)成為各高校制定專業(yè)培養(yǎng)方案的導向標準。
2011年之前的標準 2011年之前的全國工程教育認證標準指出，電子科學與技術專業(yè)的本科生運用所掌握的理論知識和技能，從事信號與信息處理的新型電子、光電子和光子材料及其元器件，以及集成電路、集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)，包括信息光電子技術和光子器件、微納電子器件、微光機電系統(tǒng)、大規(guī)模集成電路和電子信息系統(tǒng)芯片的理論、應用及設計和制造等方面的科研、技術開發(fā)、教育和管理等工作。
可以看出，2011年之前的全國工程教育認證標準對于電子科學與技術專業(yè)的知識要求非常強調電學方面的基礎知識，特別是集成電路和集成電子系統(tǒng)方面的知識，光學方面的知識只是作為輔助。
2012年之后的標準 2012年之后的全國工程教育認證標準指出，電子科學與技術專業(yè)包括電動力學、固體物理、微波與光導波技術、激光原理與技術等知識領域的核心內容。2012年之后的全國工程教育認證標準對于電子科學與技術專業(yè)的知識要求較以前有了大幅度的簡化，同時也可以看出，電子科學與技術專業(yè)的標準更多地強調了光學方面的知識，而減少了電學方面的知識要求，對于集成電路方面的知識沒有做具體要求，只是提出各高校可以根據(jù)自己的特長設置特色課程。這個標準似乎更適合光電子科學與技術這樣的本科專業(yè)，當然目前國內并沒有光電子科學與技術這樣的本科專業(yè)，卻有光信息科學與技術和光電信息科學與工程這樣的本科專業(yè)，也就是說此要求跟光學專業(yè)的要求是比較接近且有所交叉重疊的。
2 國內高校本科專業(yè)課程設置
《電子科學與技術分教指委本科指導性專業(yè)規(guī)范》指出，電子科學與技術專業(yè)涵蓋的學科范圍廣闊，以數(shù)學和近代物理為基礎，研究電磁波、荷電粒子及中性粒子的產生、運動、變換及其不同媒質相互作用的現(xiàn)象、效應、機理和規(guī)律，并在此基礎上研究制造電子、光電子各種材料及元器件，以及集成電路、集成電子系統(tǒng)和光電子系統(tǒng)，并研究開發(fā)相應的設計、制造技術。
清華大學的電子科學與技術本科專業(yè)課程設置與2012年之后的全國工程教育認證標準更為接近，在對電學方面的基礎知識進行要求的同時更加強調了光學方面的基礎知識，而復旦、同濟、上海交大、浙江大學、東南大學等眾多高校的電子科學與技術本科專業(yè)更多地強調了集成電路、集成電子系統(tǒng)方面的知識，多數(shù)都把集成電路方面的知識作為必修的考試科目專業(yè)知識。
3 學科知識體系的對應關系
《授予博士、碩士學位和培養(yǎng)研究生的學科、專業(yè)目錄》中指出，工科類一級學科電子科學與技術，涵蓋了物理電子學、電路與系統(tǒng)、微電子與固體電子學、電磁場與微波技術等4個二級學科。電子科學與技術本科專業(yè)應該涵蓋一級學科所屬各二級學科物理電子學、電路與系統(tǒng)、微電子與固體電子學、電磁場與微波技術等方面的基礎知識，也就是說本科專業(yè)應該涵蓋固體物理或半導體物理、半導體器件、集成電路、電磁場等方面的基礎知識是比較合理的，這樣既有利于本科學生將來在本學科領域的繼續(xù)深造學習，也有利于適應社會需要而就業(yè)。
4 結束語
綜上所述，集成電路設計這樣的課程應該作為電子科學與技術專業(yè)核心課程進行設置，有條件的高校還可以分別設置模擬集成電路設計和數(shù)字集成電路設計這樣的課程作為專業(yè)核心課程。這樣既能滿足本科指導性專業(yè)規(guī)范的要求，也能滿足為后續(xù)碩士博士研究生階段的繼續(xù)深造打下基礎，還能適應國家大力發(fā)展集成電路設計與制造產業(yè)的要求。這樣就需要中國工程教育認證協(xié)會對全國工程教育認證的電子科學與技術專業(yè)標準做出修改，不再過多強調光學方面的基礎知識，而是更多地要求集成電路與集成電子系統(tǒng)方面的知識，這樣能引導國內各高校回歸到加強電學方面的知識教育的道路上來。
在我國大力支持集成電路設計產業(yè)發(fā)展的大環(huán)境下，本文對于將集成電路設計設置為電子科學與技術專業(yè)核心課程，來完善電子科學與技術專業(yè)課程體系設置進行了探討。本文探討的內容希望能夠為全國工程教育認證電子科學與技術專業(yè)標準的設定提供參考，也可以為兄弟院校相關專業(yè)的課程設置提供借鑒。
參考文獻
[1]中國工程教育認證協(xié)會.工程教育專業(yè)認證標準（試行）[S].2011.
[2]中國工程教育認證協(xié)會.工程教育認證標準[S].2012.
信息產業(yè)部電子信息產品管理司司長詳解了我國集成電路與軟件產業(yè)加強知識產權戰(zhàn)略的意義。知識產權是全球高科技產業(yè)布局的核心，也決定著我國企業(yè)能否有資格站上巨人的肩頭。
“我們要認識到知識產權并不總是吃人的老虎，知識產權也可以成為保護我們自己的武器。”科技部高新司副司長廖小罕在12月1日召開的IP China 2006中國集成電路與軟件知識產權峰會上表示，集成電路企業(yè)不僅要意識到知識產權的重要性，更要在國際激烈的市場競爭環(huán)境下制定合適的知識產權戰(zhàn)略。
隨著經(jīng)濟發(fā)展，加強知識產權保護、制定知識產權戰(zhàn)略的重要性已經(jīng)是我國企業(yè)耳熟能詳?shù)脑掝}。但觀察近年來發(fā)生的國外公司對我國企業(yè)的知識產權攻擊事件，不難發(fā)現(xiàn)，其中很大一部分是發(fā)生在集成電路和軟件產業(yè)中，且訴訟對象大都指向我國在這一領域內的明星企業(yè)。我國集成電路產業(yè)的知識產權淡薄現(xiàn)象已經(jīng)造成了很大的損失。自主創(chuàng)新和知識產權的管理、保護兩方面，都是我國集成電路產業(yè)發(fā)展必須要重視的。知識產權的革命尚在路上，我國的集成電路企業(yè)，也應該付出努力了。
專利先行是上策
自主創(chuàng)新是企業(yè)獲得知識產權的重要手段，但是自主創(chuàng)新主要指獲得產業(yè)技術上的控制權，而技術和產業(yè)的健康發(fā)展僅僅有自主創(chuàng)新是遠遠不夠的。從珠海炬力和美國SigmaTel公司持續(xù)數(shù)年的訴訟，到DVD專利權之爭，我們可以看出，企業(yè)要取得產業(yè)制高點，持有專利權才是關鍵所在。
未雨綢繆，專利先行，這是廖小罕提出的集成電路發(fā)展的上策。
對于這個問題，Thomson Scientific中國區(qū)總經(jīng)理劉煜顯然有著很深的感悟。他的工作就是盡量收集全球的專利，進行深加工后提供給用戶。“很多公司希望做出核心的專利。所謂的核心專利就是構成行業(yè)標準的某種技術。標準是不收費的，但標準后的專利是收費的。我知道的一個新加坡公司，有一個研究所主要是做基礎研究，每年轉讓的專利費用超過600萬元。他們是怎么做到的呢？他們尋找專利比較少的技術，然后自己投入研究，把這些專利技術申請之后再賣給大的企業(yè)。那么，我在想，我們能不能找出專利覆蓋的領域，發(fā)現(xiàn)一些沒有重點投入的領域，想辦法在這個領域中進行研究呢？”中星微電子有限公司知識產權經(jīng)理李東亞也感慨地說：“我在中星公司工作了5年，前幾年的工作做得非常艱難。原因就是整體員工的知識產權意識都不高，這樣，即使老總的積極性再大，也出不了成效。”
炬力集成電路設計公司經(jīng)理袁永斌總結了企業(yè)專利戰(zhàn)略發(fā)展的幾大要點。首先是要做好前期的準備，包括人員的準備和資金的準備，人員指的不僅是企業(yè)的領導，還包括技術人員、法律人員、銷售和市場人員等。第二步就是要做市場分析，確立一個目標。如果企業(yè)事先不做一個專利分析，清楚在這個領域中哪些產品已經(jīng)被其他公司專利所覆蓋，那么等到產品生產出來，糾紛發(fā)生時，就已經(jīng)晚了。第三步要根據(jù)企業(yè)自身的狀況來擬定具體的方案，在擬定方案的過程中一定要有反復的評價、評估、修改過程。在最后組織實施的過程中，一定要根據(jù)自身的情況、競爭對手的情況、市場變化的因素隨時進行調整。
人民大學法學院的郭禾教授補充說，企業(yè)在立項開發(fā)階段從知識產權角度就應該有一個監(jiān)控，每取得一個成果都應該有一定的人員進行評估，在申請專利和采取保護措施的時間方面都有相應的制度。而這些正是我國企業(yè)相對薄弱的地方。
當心EDA的敏感雷區(qū)
知識產權領域是個需要步步小心的“雷區(qū)”，企業(yè)稍不注意就會面臨爆炸的危險。保護集成電路產業(yè)的知識產權，固然要各個行業(yè)共同進行，但是了解產業(yè)內知識產權保護的重點區(qū)域，在敏感地帶注意細心排雷，對集成電路和軟件企業(yè)來說無疑是條捷徑。
信息產業(yè)部軟件與集成電路促進中心副總工程師謝學軍指出：“我國集成電路知識產權保護的重點領域首先是制造行業(yè)。根據(jù)目前的情況看，發(fā)生在制造領域的糾紛比較明顯。而EDA行業(yè)將是今后比較敏感的區(qū)域。另外，IP核問題也是重點領域之一。”
國家對EDA行業(yè)投入了很多資金，但是現(xiàn)在我國相關企業(yè)與國外的大企業(yè)相比規(guī)模還是遜色不少。目前EDA行業(yè)內的專利布局對我國企業(yè)來說具有較大的危險性，國外的專利權占了大部分，如果我國企業(yè)計劃自己開發(fā)專利，想把原有的專利部分繞過去是很困難的。現(xiàn)在我國企業(yè)規(guī)模較小，這個問題尚不十分明顯，但是隨著企業(yè)的成長，這個問題逐漸浮出水面，這個行業(yè)也將成為企業(yè)談虎色變的重點雷區(qū)。目前我國企業(yè)花費比較低廉，一旦這些企業(yè)發(fā)展壯大就要面臨收費問題。這一行業(yè)內的企業(yè)要想完善知識產權保護和管理，避免知識產權訴訟，就必須從現(xiàn)在開始加強專利和知識產權建設。
IP核的問題討論也越來越熱，成為集成電路知識產權關注的主流方向，國內能夠全部由自己設計IP的公司還比較少，但是隨著時間的推移，這方面的問題就會逐漸浮出水面。
行業(yè)聯(lián)盟是堅強后盾
當前，我國集成電路產業(yè)尚處于發(fā)展的初級階段，作為一個后來者，它要面臨眾多的挑戰(zhàn)。現(xiàn)在集成電路設計復雜度越來越高，使得對知識產權的保護變得更加困難。另外，新的知識產權形式的出現(xiàn)，以及集成電路設計的主體變得更多、更小，都加大了保護的難度。由于成本壓力、時間壓力以及技術領域的馬太效應，企業(yè)如果采用不太成熟的技術，芯片流片一旦失敗，高額的設計費用將給企業(yè)財務帶來嚴重壓力，而且時間上也拖不起。因此，大部分企業(yè)更希望采用已有的成熟技術。但這就使得原有的技術領先者發(fā)展得更快，形成了強者恒強、大者恒大的局面，無形中更加提高了專利和技術授權費用。
為了解決這些問題，信息產業(yè)部軟件與集成電路促進中心(CSIP)副主任邱善勤表示，作為專職促進軟件與集成電路產業(yè)發(fā)展的機構，CSIP已經(jīng)開展了積極工作。目前，CSIP和相關單位正在對全球集成電路與軟件全行業(yè)的專利進行檢索和分析，通過研究其他國家的專利情況，把握產業(yè)技術發(fā)展趨勢，為我國自主創(chuàng)新搭建更高的技術平臺。
袁永斌根據(jù)炬力公司自身在知識產權保護領域的實踐提出：“企業(yè)制定專利戰(zhàn)略，一定要和國內同行進行交流，對于一些沒有專利的企業(yè)，也要讓他們了解制定專利的重要性。我國的企業(yè)過去更多地是在互相進行競爭，但是面對現(xiàn)在的知識產權形勢，面對國外企業(yè)的挑戰(zhàn)，我們一定要多多合作，以產品為基礎，建立一個細化的行業(yè)聯(lián)盟，來協(xié)調企業(yè)間進行互助和分享。”
信息產業(yè)部電子信息產品管理司司長指出，所謂機遇，是指能站在巨人肩膀上來發(fā)展自己；所謂挑戰(zhàn)，其中很重要的一點就是巨人的肩膀讓不讓我們站的問題。在全球高科技產業(yè)布局中，知識產權保護成為一個核心問題。差距是存在的，知識產權革命路途尚長，但是吸取國外經(jīng)驗教訓，發(fā)展自身，將是我國集成電路企業(yè)努力的方向。
金思維攜手亞太泵閥共繪信息化藍圖
近日，國家重點高新技術企業(yè)――江蘇亞太泵閥有限公司與金思維公司正式簽約，啟用金思維ERP。
江蘇亞太泵閥有限公司主要生產各類特種水泵、閥門、城市污水處理廠成套設備及相關設備的遠程中央控制系統(tǒng)，是中國環(huán)保產業(yè)百強骨干企業(yè)。亞太水工產品先后在上海寶鋼、三峽工程、黃河小浪底工程等國家重點工程中得到了廣泛應用，并出口到澳大利亞、伊朗、泰國等20多個國家和地區(qū)。
我當年就是懷著對集成電路未來的美好憧憬，幻想著IC從業(yè)者西裝革履喝咖啡的小資生活。再加上那時開設該專業(yè)的還有清華、北大等“985工程”院校。于是我報考了這個前途無量的集成電路設計與集成系統(tǒng)（下簡稱集電）專業(yè)。
IC課堂知多少
前面提到了IC從業(yè)者，那IC究竟是什么呢？IC是半導體元件產品的統(tǒng)稱。那學這個有什么用呢？比方說自稱國產發(fā)燒級的小米手機，你知道它用的四核CPU是什么架構？28nm工藝又是什么工藝呢？更省電的電源管理芯片又是什么邏輯構造呢？這些在選擇了集電專業(yè)后，你都會一一了解到。在不久的將來，也許你設計的芯片還會在流水線上量產呢。
既然這個專業(yè)那么有用，那它是學什么的呢？首先，要做的就是電路設計，根據(jù)市場的需求依據(jù)電路功能設計出電路；接下來就是前期電路功能的仿真（就是將電路原理圖用專業(yè)軟件模擬出電路所實現(xiàn)的功能，主要是為了節(jié)省研發(fā)經(jīng)費和研發(fā)周期），檢測其是否能達到所要的參數(shù)需求；再次，用專業(yè)的軟件將電路版圖畫出來；最后，將畫出來的版圖進行后期仿真，與前期的仿真對比，看是否需要做出修改。若符合要求就生成版圖文件交給晶圓廠進行量產，最后到封裝測試廠完成芯片的最后一道工藝。
如今，集成電路設計與集成系統(tǒng)專業(yè)已走過了9年，它變得越來越適應就業(yè)市場的需求。目前該專業(yè)分為三個方向。第一個方向是設計。這個方向又分兩類，數(shù)字集成電路設計是偏軟件類；而模擬集成電路設計是偏硬件類。有設計就要有生產，該專業(yè)的第二個方向就是生產工藝。IC工藝能力決定了芯片的性能、功耗、散熱等諸多因素。而第三個方向是集成電路的封裝與測試。好的封裝才能夠使芯片發(fā)揮正常的功能，并保證其具有高穩(wěn)定性和可靠性。而芯片是否達到預期的研發(fā)目標，則需要更多的測試才能確定。
集電專業(yè)開設的課程較多，光專業(yè)基礎課就要分硬件和軟件，加上計算機應用技術、模擬電路與數(shù)字電路、電路分析基礎、信號與系統(tǒng)、集成電路應用實驗、現(xiàn)代工程設計制圖、微機原理與應用、固體電子學、電磁場與電磁波這些專業(yè)課，你會發(fā)現(xiàn)你的大學四年會過得格外充實。不過你放心，由于實驗課很多，學習并不會覺得枯燥。
就拿集電專業(yè)的核心課程——集成電路工藝課來說吧。這門課教授我們如何把還只是一個概念的集成電路芯片從有到無的“變”出來。喜歡玩手機的同學一定聽說過現(xiàn)在市面上最先進的高通的四核CPU吧，它的電路構成需要用到上百萬個我們所熟知的晶體管、電阻、電容等元器件。可是我們的手機只有那么小，上百萬個元器件怎么集中在那么小的一個芯片上呢？這就需要運用這門課所學的工藝技術，將這些元件制作在一小塊硅片、玻璃或陶瓷襯底上，再用適當?shù)墓に囘M行互連，然后封裝在一個管殼內，使整個電路的體積大大縮小，引出線和焊接點的數(shù)目也大為減少。而這其中的奧妙，就需要你帶著一份好奇心，步入大學的殿堂用心學習了！
前途寬廣，錢途無量
目前，很多歐美IC巨頭企業(yè)都在中國設有工廠或者研發(fā)機構，比如AMD、飛思卡爾、德州儀器、意法半導體、英特爾等。本土的IC公司也如雨后春筍般層出不窮，越來越多的海歸人才帶著國外的尖端技術和項目基金回國創(chuàng)業(yè)。這些電子廠都是離不開IC設計人才的。
2006年考研結束后，我只身南下，去上海找工作。在火車上，我接到了德州儀器的電話面試，可惜最后因為英語口語不過關被淘汰了，這也說明這個專業(yè)對于英語應用能力的要求還是比較高的。不過之后的半個月時間，各種面試電話就成了我幸福的煩惱，對于只是一名應屆本科畢業(yè)生的我，有的公司甚至開出了4500元月薪的條件，這是當時很多畢業(yè)生想都不敢想的，更何況一年還發(fā)16個月薪水！由此可見，對于集電專業(yè)的畢業(yè)生，只要你做了充分的準備，就會有成百上千的大門向你敞開。選擇做IC人，你將“錢途”無量！
集電專業(yè)的畢業(yè)生有較強的工作適應能力，就業(yè)范圍寬，可從事集成電路設計與制造、嵌入式系統(tǒng)、計算機控制技術、通信、消費類電子等信息技術領域的研究、開發(fā)和教學工作。
選“山”拜師很重要
