《半導體》自1976年創刊，國內刊號為12-1134/TN，本刊積極探索、勇于創新，欄目設置及內容節奏經過編排與改進，受到越來越多的讀者喜愛。
《半導體》自1976年創刊，國內刊號為12-1134/TN，本刊積極探索、勇于創新，欄目設置及內容節奏經過編排與改進，受到越來越多的讀者喜愛。
《半導體》雜志學者發表主要的研究主題主要有以下內容：
（一）半導體；SI納米線；太陽電池；光致發光；自組織生長
（二）壓力傳感器；傳感器；四探針；單片機；溫度補償
（三）跳頻通信；混沌序列；Z2000；頻率合成器；混沌跳頻序列
（四）CMOS；電路設計；集成電路；濾波器；模擬乘法器
（五）砷化鎵；GAAS；太陽電池；磷化銦；半絕緣
（六）CMOS；濾波器；MOS；開關電流電路；開關電流
（七）共振隧穿二極管；RTD；負阻器件；共振隧穿器件；負阻
（八）CMOS；鎖相環；開關電流；開關電流電路；時鐘恢復
（九）晶閘管；場效應晶體管；氣敏傳感器；壓力傳感器；SNO
（十）HFET；電流崩塌；GAN；勢壘；溝道
1、實行嚴格的同行專家審稿制度和三審三校制度，依據稿件學術質量，公平、客觀地取舍稿件。
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引證文獻：又稱來源文獻，是指引用了某篇文章的文獻，是對本文研究工作的繼續、應用、發展或評價。這種引用關系表明了研究的去向，經過驗證，引證文獻數等于該文獻的被引次數。引證文獻是學術論著撰寫中不可或缺的組成部分，也是衡量學術著述影響大小的重要因素。
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